[发明专利]溅射性优异的Ni系靶材

说明书

技术领域

本发明涉及能够得到强漏磁通的导磁率低、使用效率高的Ni系合金溅射靶材。

背景技术

近年来，垂直磁记录的进步显著，为了驱动器的大容量化，磁记录介质的记录高密度化推进，利用以前普及的面内磁记录介质，能够实现更高的记录密度的垂直磁记录方式得到实用化。在此，所谓垂直磁记录方式，就是在垂直磁记录介质的磁性膜中，使易磁化轴相对于介质面沿垂直方向取向而形成，是适于高记录密度的方法。

而且，在垂直磁记录方式中，开发出具有提高了记录密度的磁记录膜相和软磁性膜相的记录介质，在这样的介质构造中，开发出在软磁性层与磁记录层之间成膜有籽晶层和底膜层的记录介质。该垂直磁记录方式用的籽晶层中，一般使用的是NiW系的合金。

另一方面，作为改善硬盘驱动器的磁记录特性一个手法，提出有使籽晶层拥有磁性的方法，例如，日本特开2012－128933号公报(专利文献1)所公开的，提出有一种通过添加具有磁性的作为VIII族的元素的Fe、Co，从而拥有磁性的籽晶层。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2012－128933号公报

【专利文献2】日本特开2010－59540号公报

在上述的籽晶层的成膜中，一般使用磁控管溅射法。所谓该磁控管溅射法，就是在靶材的背后配置磁体，在靶材的表面使磁通泄漏，在该漏磁通区域使等离子体会聚，从而可以高速成膜的溅射法。该磁控管溅射法具有的特征在于，使磁通在靶材的溅射表面泄漏，因此靶材自身的导磁率高时，难以在靶材的溅射表面形成磁控管溅射法所需要的充分的漏磁通。因此，必须极力降低靶材自身的导磁率。但是，上述的靶材中因为导磁率高，所以漏磁通低，缺乏溅射性这一点成为课题。

另一方面，作为降低导磁率的手法的一例，如日本特开2010－59540号(专利文献2)这样，在纯Co溅射靶材中，有通过原料使用纯Co粉末而降低导磁率的方法。但是，专利文献2的方法只能够适应软磁性相用Co－Fe系合金靶材，无法对应籽晶层用Ni系合金靶材等。此外，Fe源使用的是合金，没有进行使用纯Fe粉末的粉末烧结法的研究。

发明内容

因此，本发明者作为原料粉末使用Ni－M系合金粉末、纯Fe粉末、纯Co粉末，研究籽晶层用Ni－Co－Fe系合金靶材的制造方法，其结果发现，能够得到强漏磁通的Ni－Co－Fe系合金靶材。

本发明发含以下的方案。

(1)一种Ni系溅射靶材，是含有(Ni_X－Fe_Y－Co_Z)－M合金(在此，X表示Ni的含量对于Ni、Fe和Co的合计含量的比率，Y表示Fe的含量对于Ni、Fe和Co的合计含量的比率，Z表示Co的含量对于Ni、Fe和Co的合计含量的比率。)而成的Ni系溅射靶材，其特征在于，所述合金中，作为M元素，含有从W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中选择的一种或两种以上的M1元素合计2～20at.％，从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M2元素合计0～10at.％，余量由Ni、Fe、Co及不可避免的杂质构成，并且，X+Y+Z＝100时，20≤X≤98，0≤Y≤50，0≤Z≤60，并且，所述合金具备具有Ni－M相作为基体相的微观组织，即在所述基体相中分散有Fe相和/或Co相的所述微观组织。

(2)根据所述(1)所述的Ni系溅射靶材，其特征在于，所述合金合计含有1.5at.％以上的Fe和Co。

(3)根据所述(1)或(2)所述的Ni系溅射靶材，其特征在于，所述合金中，作为M元素，含有合计高于0at.％且为10at.％以下的从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M2元素。

(4)根据所述(1)～(3)中任一项所述的Ni系溅射靶材，其特征在于，含有fcc或hcp相的Co。

(5)根据所述(1)～(3)中任一项所述的Ni系溅射靶材，其特征在于，含有fcc或bcc相的Fe。

(6)根据所述(1)～(3)中任一项所述的Ni系溅射靶材，其特征在于，漏磁通为10％以上。

根据本发明，能够提供可高效率进行磁控管溅射的Ni－Fe－Co－M系合金溅射靶材，如垂直磁记录介质这样，在制造需要Ni－Fe－Co系合金的籽晶层的工业制品上是极有效的技术。

具体实施方式