[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，

具有设置于呈矩阵状配置的多个像素的每一个的薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管具有半导体层、设置于所述半导体层的下层的第一绝缘层、设置于所述半导体层的上层的第二绝缘层、及与所述半导体层隔开间隔地相对置的栅电极，

所述半导体层包含源极区域、漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，且具备上表面、下表面、侧面，所述侧面与所述上表面和所述下表面连接并且具有包含于所述沟道区域的部分，

所述栅电极包含：第一栅电极部，其隔着所述第一绝缘层与所述半导体层的所述下表面相对置；第二栅电极部，其隔着所述第二绝缘层与所述半导体层的所述上表面相对置；以及第三栅电极部，其与所述半导体层的所述侧面相对置，并且与所述第一栅电极部及所述第二栅电极部相接，

在所述半导体层的周围具备所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相互层叠的层叠部，

所述层叠部的一部分位于所述半导体层的所述侧面与所述第三栅电极部之间，

所述半导体层具备：

第一部分，其在俯视时仅与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方重叠；以及

第二部分，其在俯视时从所述第一部分突出，与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部均没有重叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述层叠部在与所述半导体层的所述侧面相对置的位置具有接触孔，

所述第三栅电极部设置于接触孔内。

3.一种显示装置，其特征在于，

具有设置于呈矩阵状配置的多个像素的每一个的薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管具有半导体层、设置于所述半导体层的下层的第一绝缘层、设置于所述半导体层的上层的第二绝缘层、及与所述半导体层隔开间隔地相对置的栅电极，

所述半导体层包含源极区域、漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，且具备上表面、下表面、侧面，所述侧面与所述上表面和所述下表面连接并且具有包含于所述沟道区域的部分，

所述栅电极包含：第一栅电极部，其隔着所述第一绝缘层与所述半导体层的所述下表面相对置；第二栅电极部，其隔着所述第二绝缘层与所述半导体层的所述上表面相对置；以及第三栅电极部，其与所述半导体层的所述侧面相对置，并且与所述第一栅电极部及所述第二栅电极部相接，

在所述半导体层的周围具备所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相互层叠的层叠部，

所述层叠部的一部分位于所述半导体层的所述侧面与所述第三栅电极部之间，

所述半导体层的所述沟道区域包含：

一对第一重叠区域，其在俯视时与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部的双方重叠；以及

一对第二重叠区域，其在俯视时仅与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方重叠，

所述一对第一重叠区域彼此相对置地位于连结所述源极区域和所述漏极区域的方向上，

所述一对第二重叠区域分别位于与所述一对第一重叠区域各自相邻的位置。

4.一种显示装置，其特征在于，

具有设置于呈矩阵状配置的多个像素的每一个的薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管具有半导体层、设置于所述半导体层的下层的第一绝缘层、设置于所述半导体层的上层的第二绝缘层、及与所述半导体层隔开间隔地相对置的栅电极，

所述半导体层包含源极区域、漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，且具备上表面、下表面、侧面，所述侧面与所述上表面和所述下表面连接并且具有包含于所述沟道区域的部分，

所述栅电极包含：第一栅电极部，其隔着所述第一绝缘层与所述半导体层的所述下表面相对置；第二栅电极部，其隔着所述第二绝缘层与所述半导体层的所述上表面相对置；以及第三栅电极部，其与所述半导体层的所述侧面相对置，并且与所述第一栅电极部及所述第二栅电极部相接，

在所述半导体层的周围具备所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相互层叠的层叠部，

所述层叠部的一部分位于所述半导体层的所述侧面与所述第三栅电极部之间，

所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方具有向与连结所述源极区域和所述漏极区域的方向交叉的方向凹陷的切缺，

所述半导体层的一部分位于在所述切缺的内侧且俯视时不与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方重叠的非重叠区域。