[发明专利]显示装置

说明书

本发明提供一种显示装置，抑制翘曲现象的产生，提高显示装置的画质。显示装置具有设置于像素上的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有半导体层(SC)、设置于半导体层(SC)之下的第一绝缘层(IN1)、设置于半导体层(SC)之上的第二绝缘层(IN2)、与半导体层(SC)隔开间隔相对置的栅电极(LG、HG、SG)。栅电极包含与半导体层(SC)的下表面相对置的第一栅电极部(LG)、与半导体层(SC)的上表面相对置的第二栅电极部(HG)、与半导体层(SC)的侧面相对置并与第一栅电极部(LG)及第二栅电极部(HG)连接的第三栅电极部(SG)。在半导体层(SC)的周围具有第一绝缘层(IN1)及第二绝缘层(IN2)相互层叠的层叠部。层叠部的一部分位于半导体层(SC)的侧面和第三栅电极部(SG)之间。

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

液晶显示装置或有机EL显示装置等由具有薄膜晶体管的像素构成的显示装置正在普及。

专利文献1中公开有一种包含位于半导体层之下的背栅电极、和位于半导体层之上的顶栅(front gate)电极在内的薄膜晶体管。专利文献2中公开有一种设置有半导体薄膜的上方的栅电极、和下方的背栅电极的薄膜晶体管。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－43748号公报

专利文献2：日本特开平5－114732号公报

发明内容

近年的显示装置被要求高精细化，由此，像素的尺寸变小。当像素变小时，配置薄膜晶体管的空间减少，在通过小尺寸的晶体管控制电流时成为问题的翘曲(Kink)现象变得更容易产生。在此，翘曲现象是Vd－Id特性与一般的薄膜晶体管不同的现象，也被称为因漏极端的强电场而大量产生热电子的碰撞电离现象。此时，当发生成为多余的空穴蓄积于栅极下的空穴累积状态的现象即翘曲现象时，薄膜晶体管的特性偏差增大，产生画质恶化。

本发明是鉴于上述课题而提出的，其目的在于，提供一种抑制薄膜晶体管的翘曲现象的产生，提高显示装置的画质的技术。

若说明本申请中公开的发明中的、代表性的发明概要，则如下。

显示装置具有设置于矩阵状配置的多个像素的各像素上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有半导体层、设置于所述半导体层的下层的第一绝缘层、设置于所述半导体层的上层的第二绝缘层、与所述半导体层隔开间隔相对置的栅电极，所述半导体层包含源极区域、漏极区域、位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域，且具备上表面、下表面、侧面，所述侧面与所述上表面和所述下表面连接并且具有包含于所述沟道区域的部分，所述栅电极包含：第一栅电极部，其隔着所述第一绝缘层与所述半导体层的所述下表面对置；第二栅电极部，其隔着所述第二绝缘层与所述半导体层的所述上表面对置；第三栅电极部，其与所述半导体层的所述侧面相对置，并且与所述第一栅电极部及所述第二栅电极部相接，在所述半导体层的周围具备所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相互层叠的层叠部，所述层叠部的一部分位于所述半导体层的所述侧面和所述第三栅电极部之间。

发明效果

根据本发明，能够抑制翘曲现象的产生，提高显示装置的画质。

附图说明

图1是表示第一实施方式的有机EL显示装置的等效电路的一例的电路图。

图2是表示第一实施方式的像素电路的一例的俯视图。

图3是图2所示的像素电路的III－III截断线处的剖视图。

图4是表示第一实施方式的薄膜晶体管的一例的俯视图。

图5是图4所示的薄膜晶体管的V－V截断线处的剖视图。