[发明专利]具有碳化硅的导热电磁干扰(EMI)吸收剂

权利要求书

1.一种导热电磁干扰EMI吸收剂，该EMI吸收剂包括包含导热颗粒、EMI吸收颗粒和碳化硅的材料，其中，所述EMI吸收颗粒包含羰基铁粉、磁性碎片和锰锌铁氧体，且所述导热颗粒包括氧化铝，

其中，所述材料包括硅酮弹性体基体，该硅酮弹性体基体负载有所述磁性碎片、所述羰基铁粉、所述氧化铝、所述锰锌铁氧体以及所述碳化硅，使得所述导热电磁干扰EMI吸收剂包括2至4体积百分比的所述磁性碎片、3至5体积百分比的所述羰基铁粉、18至23体积百分比的所述氧化铝、27至40体积百分比的所述锰锌铁氧体以及4至10体积百分比的所述碳化硅。

2.根据权利要求1所述的导热电磁干扰EMI吸收剂，其中，

所述导热电磁干扰EMI吸收剂为非相变填隙料、间隙垫或油灰；和/或

所述导热电磁干扰EMI吸收剂被配置为通过在20℃至25℃的室温下弯曲来对于间隙进行调节。

3.根据权利要求1所述的导热电磁干扰EMI吸收剂，

其中，所述导热电磁干扰EMI吸收剂被配置为具有至少2瓦特每米每开尔文的热导率和针对从1千兆赫至6千兆赫的频率的至少9分贝每厘米的衰减；和

所述导热电磁干扰EMI吸收剂包括3体积百分比的所述磁性碎片、4体积百分比的所述羰基铁粉、19.5体积百分比的所述氧化铝、32.1体积百分比的所述锰锌铁氧体以及4.8体积百分比的所述碳化硅。

4.根据权利要求1所述的导热电磁干扰EMI吸收剂，其中，

所述磁性碎片包括包含铁、硅以及铝的合金；或包含铁和镍的合金；和/或

所述导热电磁干扰EMI吸收剂包括3体积百分比的所述磁性碎片、4体积百分比的所述羰基铁粉、19.5体积百分比的所述氧化铝、32.1体积百分比的所述锰锌铁氧体以及4.8体积百分比的所述碳化硅。

5.根据权利要求1所述的导热电磁干扰EMI吸收剂，

其中，所述导热电磁干扰EMI吸收剂被配置为具有至少2瓦特每米每开尔文的热导率和针对从1千兆赫至6千兆赫的频率的至少9分贝每厘米的衰减；和/或

其中，

所述磁性碎片包括仙都斯特合金SENDUST和坡莫合金中的一种或更多种；

所述导热颗粒还包括氧化锌、氮化硼、氮化硅、铝、氮化铝、铁、石墨以及陶瓷中的一种或更多种；并且

所述EMI吸收颗粒还包括硅化铁、氧化铁、镍基合金以及铬合金的一种或更多种。

6.一种多片EMI屏蔽件，该多片EMI屏蔽件包括框架、可贴附到所述框架且可从所述框架去除的可去除罩或盖、以及沿着所述多片EMI屏蔽件的可去除罩或盖的一部分的、根据权利要求1至5中任一项所述的导热电磁干扰EMI吸收剂。

7.一种导热电磁干扰EMI吸收剂，该导热电磁干扰EMI吸收剂包括基体，该基体包括一种或更多种热导体、一种或更多种EMI吸收颗粒以及碳化硅，其中，所述碳化硅以足以产生协同效应的量存在，并且所述导热电磁干扰EMI吸收剂被配置为对于具有至少2瓦特每米每开尔文的热导率和/或针对从1千兆赫至6千兆赫的频率的至少9分贝每厘米的衰减，其中，所述一种或更多种热导体包括氧化铝，且所述一种或更多种EMI吸收颗粒包含羰基铁粉、磁性碎片和锰锌铁氧体，

其中，所述基体包括硅酮弹性体基体，该硅酮弹性体基体负载有所述磁性碎片、所述羰基铁粉、所述氧化铝、所述锰锌铁氧体以及所述碳化硅，使得所述导热电磁干扰EMI吸收剂包括2至4体积百分比的所述磁性碎片、3至5体积百分比的所述羰基铁粉、18至23体积百分比的所述氧化铝、27至40体积百分比的所述锰锌铁氧体以及4至10体积百分比的所述碳化硅。

8.根据权利要求7所述的导热电磁干扰EMI吸收剂，其中，

所述磁性碎片包括包含铁、硅以及铝的合金，或包含铁和镍的合金。