[发明专利]发光器件及其制造和运行方法

权利要求书

1.具有发射体层（112）的发光器件（100），

• 其中所述发射体层（112）具有发磷光的发射体材料（124）和发荧光的发射体材料（126），并且

• 其中所述发射体层（112）具有至少一个预先给定的第一显示区域（102）和第二显示区域（104），

º其中所述第一显示区域（102）具有所述发磷光的发射体材料（124）和带有发荧光的发射体材料（126）的掺杂物，并且

º其中所述第二显示区域（104）具有所述发磷光的发射体材料（124）并且没有所述发荧光的发射体材料（126）；

• 其中所述发磷光的发射体材料（124）具有至少一个第一激发状态（T1(1)）和第二激发状态（S1(1)），其中所述第二激发状态（S1(1)）在能量上在所述第一激发状态（T1(1)）之上，并且在从所述发磷光的发射体材料（124）的所述第一激发状态（T1(1)）过渡(202)到基本状态（S0(1)）的情况下发射第一电磁辐射（128），并且

• 其中所述发荧光的发射体材料（126）具有至少一个激发状态（S1(2)），其中在从所述发荧光的发射体材料（126）的所述激发状态（S1(2)）过渡(210)到所述发荧光的发射体材料（126）的基本状态（S0(2)）的情况下发射第二电磁辐射（130）；并且

• 其中对所述发荧光的发射体材料（126）的所述激发状态（S1(2)）的占用借助从所述发磷光的发射体材料（124）的所述第二激发状态（S1(1)）到所述发荧光的发射体材料（126）的所述激发状态（S1(2)）的能量转移(208)来进行，使得能够从所述第一显示区域（102）发射由第一电磁辐射（128）和第二电磁辐射（130）组成的混合光（132），并且能够从所述第二显示区域（104）所发射的光没有第二电磁辐射（130）。

2.根据权利要求1所述的发光器件（100），其中所述发磷光的发射体材料（124）另外具有至少一个第三激发状态（Sn(1)），所述第三激发状态在能量上处于所述第二激发状态（S1(1)）之上，其中从所述第三激发状态（Sn(1)）占用所述第二激发状态（S1(1)）。

3.根据权利要求2所述的发光器件（100），其中通过内部转换从所述第三激发状态（Sn(1)）占用所述第二激发状态（S1(1)）。

4.根据权利要求2所述的发光器件（100），其中通过第一激发状态（T1(1)）的双分子消除过程而占用所述第三激发状态（Sn(1)）。

5.根据权利要求1至4之一所述的发光器件（100），其中所述发射体层（112）具有基质材料（122），并且所述发磷光的发射体材料（124）和所述发荧光的发射体材料（126）分布在所述基质材料（122）中。

6.根据权利要求1至4之一所述的发光器件（100），其中所述能够由所述第二显示区域（104）发射的光仅具有所述第一电磁辐射（128）。

7.根据权利要求1至4之一所述的发光器件（100），其中所述发荧光的发射体材料（126）的所述激发状态（S1(2)）的能量水平在能量上处于所述发磷光的发射体材料（124）的所述第一激发状态（T1(1)）的能量水平和所述第二激发状态（S1(1)）的能量水平之间。

8.根据权利要求1至4之一所述的发光器件（100），其中所述发荧光的发射体材料（126）的所述激发状态（S1(2)）与所述发荧光的发射体材料（126）的所述基本状态（S0(2)）的能量差异大于所述发磷光的发射体材料（124）的所述第一激发状态（T1(1)）与所述发磷光的发射体材料（124）的所述基本状态（S0(1)）的能量差异。

9.根据权利要求1至4之一所述的发光器件（100），其中所述第一显示区域（102）和所述第二显示区域（104）毗邻地布置。