[发明专利]发光器件及其制造和运行方法有效
申请号: | 201680006688.1 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN107431083B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | A.劳施;D.屈恩莱因 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;杜荔南 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 运行 方法 | ||
本发明涉及发光器件及其制造和运行方法。在发光器件中,第一发射体材料具有至少一个第一激发状态和第二激发状态,其中第二激发状态在能量上在第一激发状态之上,并且在从第一发射体材料的第一激发状态过渡到基本状态的情况下发射第一电磁辐射,并且其中第二发射体材料具有至少一个激发状态,其中在从第二发射体材料的激发状态过渡到第二发射体材料的基本状态的情况下发射第二电磁辐射;对第二发射体材料的激发状态的占用借助从第一发射体材料的第二激发状态到第二发射体材料的激发状态的能量转移来进行,使得能够从第一显示区域发射由第一电磁辐射和第二电磁辐射组成的混合光,且从第二显示区域所发射的光没有第二电磁辐射。
技术领域
本发明涉及发光器件、用于制造发光器件的方法和用于运行发光器件的方法。
背景技术
在常规的有机发光器件、例如有机发光二极管(OLED)的情况下,在阳极和阴极之间布置发射体层,在所述发射体层中生成电磁辐射。针对OLED的应用例如是作为普通照明中的面光源、作为显示器中的像点或背景照明或者用于在标牌或显示上表示信息(标志应用(Signage-Anwendung))的使用。
在基于OLED的标志应用的情况下,在常见的方法中在构造了OLED之后借助激光对发射体层进行结构化,以便在OLED中表示信息。在另一常见方法的情况下,通过使用浓缩的光致抗蚀剂气体(Resistgas)利用随后的剥离图案化(Lift-Off-Patterning)对发射体层进行结构化。在另一常见的方法情况下,借助部分地修改载流子从电极之一到发射体层中的注入能力来实现信息的表示。在另一方法中,借助单独成型的OLED元件的串联来表示信息。
然而,常见的方法是比较成本密集的并且在技术上是要求高的,尤其是对于标志应用而言。
发明内容
本发明的任务是,提供发光器件、用于制造发光器件的方法和用于运行发光器件的方法,利用所述发光器件能够以可电切换的方式表示信息,并且所述发光器件能以技术上简单的方式被构造。
根据本发明的一个方面,通过具有发射体层的发光器件解决所述任务,其中所述发射体层具有第一发射体材料和第二发射体材料。发射体层具有至少一个预先给定的第一显示区域和第二显示区域。第一显示区域具有第一发射体材料和第二发射体材料,并且第二显示区域具有第一发射体材料并且基本上没有第二发射体材料。所述第一发射体材料具有至少一个第一激发状态和第二激发状态,其中所述第二激发状态在能量上(energetisch)在第一激发状态之上,并且在从第一发射体材料的第一激发状态过渡到基本状态的情况下发射第一电磁辐射。第二发射体材料具有至少一个激发状态,其中在从第二发射体材料的激发状态过渡到第二发射体材料的基本状态的情况下发射第二电磁辐射。基本上借助从第一发射体材料的第二激发状态到第二发射体材料的激发状态的能量转移进行对第二发射体材料的激发状态的占用(Besetzung),使得能够从第一显示区域发射由第一电磁辐射和第二电磁辐射组成的混合光,并且能够从第二显示区域发射的光基本上没有第二电磁辐射。
换言之:第一发射体材料的第二激发状态不由直接的电子空穴复合(Elektron-Loch-Rekombination)构成。例如间接地、例如通过第一发射体材料的两个相邻的所激发的分子的三重态-三重态湮灭进行对第一发射体材料的第二激发状态的占用。由此部分地构成第三激发状态,所述第三激发状态在能量上(energetisch)处于第二激发状态之上,其中第三激发状态通过能量转移过渡到第二激发状态。
激发状态是在发光器件的通电的和不通电的状态中的激发状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗OLED股份有限公司,未经欧司朗OLED股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680006688.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的