[发明专利]用于制造半导体组件的方法及半导体组件

权利要求书

1.一种用于制造各自具有半导体本体(2)的多个半导体组件(100)的方法，所述方法包括以下方法步骤：

A)在衬底(9)上施加具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源区(23)的半导体层序列(200)；

B)形成用于电接触所述第一半导体层(21)和所述第二半导体层(22)的接触结构(7)；

C)通过形成使所述半导体本体(2)分开的至少一个沟槽(20)来对所述半导体层序列(200)进行结构化；

D)在所述半导体层序列(200)上施加辅助衬底(14)，使得所述半导体层序列(200)布置在所述辅助衬底(14)与所述衬底(9)之间；

E)将所述衬底(9)从所述半导体层序列(200)去除；

F)施加覆盖所述沟槽(20)和所述半导体本体(2)的垂直表面的锚固层(8)，并且通过对覆盖所述沟槽(20)的区域中的所述锚固层(8)进行结构化来形成多个约束件(83)；

G)使所述辅助衬底(14)从所述半导体本体(20)局部分离，其中所述约束件(83)保持附接至所述辅助衬底(14)；以及

H)通过使所述约束件(83)从所述辅助衬底(14)分开选择性地拾取具有一个第一半导体层(21)、一个第二半导体层(22)以及一个有源区(23)的至少一个半导体本体(2)以及一个相关联的接触结构(7)，其中在步骤H期间，所述至少一个半导体本体(2)被选择性地从所述辅助衬底(14)去除，并且通过没有使用任何粘合剂材料的直接接合方法连接至载体(1)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤F在步骤G之前执行，并且在步骤G期间所述半导体本体(2)通过所述约束件(83)保持在适当位置。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述锚固层(8)由介电材料形成，所述多个约束件(83)通过蚀刻所述锚固层形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述锚固层(8)由光致抗蚀剂材料形成，所述多个约束件(83)借助光刻工艺形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中通过光刻工艺执行使所述辅助衬底(14)局部分离和形成多个约束件(83)的两个步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤F期间对所述锚固层(8)进行结构化，使得与不同半导体本体(2)相关联的约束件(83)断开。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤F期间，通过对覆盖所述沟槽(20)的区域中的所述锚固层(8)进行结构化在所述半导体本体(2)之间形成锚条(84)，所述半导体本体(2)通过所述约束件(83)连接至所述锚条(84)。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底(9)设置有图案化表面(91)，并且所述半导体层序列(200)生长到所述衬底(9)的所述图案化表面(91)上，使得所述半导体层序列(200)包括面向所述衬底(9)的所述图案化表面(91)并且复制所述衬底(9)的所述图案化表面(91)的图案化第一主表面(201)。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤B之前，在远离所述衬底(9)的侧上对所述半导体层序列(200)进行图案化，使得形成所述半导体层序列(200)的远离所述衬底的图案化第二主表面(202)，所述图案化第二主表面(202)包括微棱镜(222)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中镜层(3)施加在所述图案化第二主表面(202)上，使得所述镜层至少在一些位置处复制所述图案化第二主表面。