[发明专利]用于制造半导体组件的方法及半导体组件

说明书

提供了用于制造多个半导体组件的方法，其中在衬底上施加具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列。形成用于电接触第一和第二半导体层的接触结构。在半导体层序列上施加辅助衬底，使得半导体层序列布置在辅助衬底与衬底之间。在随后的步骤中，衬底从半导体层序列去除。半导体层序列通过形成使半导体本体分开的至少一个沟槽而结构化成多个半导体本体。形成锚固层以覆盖沟槽和半导体本体的垂直表面。通过对覆盖沟槽的区域中的锚固层进行结构化而形成多个约束件。辅助衬底从半导体本体局部分离，其中约束件保持附接至辅助衬底。通过使约束件从辅助衬底分开选择性地拾取至少一个半导体本体。此外，提供了通过所述方法制造的半导体组件。

本发明涉及用于制造半导体组件的方法及半导体组件。

使用LED的区域照明需要大量待管芯接合在载体上的小的LED。当使用用于制造LED的标准方法并使用标准管芯接合技术时，这是耗时且昂贵的。

本发明的目的是指定一种用于制造半导体组件或多个半导体组件的特别灵活的方法，并且还指定一种可以以简化和成本有效的方式制造的半导体组件。

该目的是通过独立专利权利要求的主题来实现的。从属专利权利要求涉及另外的配置和开发。

在用于制造半导体组件或多个半导体组件的方法的一个实施方案，提供衬底。衬底可以被图案化或平坦化。例如，衬底是辐射透过性的，特别地是透明的。衬底是例如生长衬底，其可以在这种情况下尤其由蓝宝石或硅组成或包含蓝宝石或硅。

根据用于制造半导体组件的方法的至少一个实施方案，将具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列施加(例如外延生长)到衬底上。

半导体层序列包括面向衬底的第一主表面和背向衬底的第二主表面。第一主表面例如面向衬底的表面。第一和第二主表面特别地在垂直方向限定半导体层序列。垂直方向被理解为与有源区的主延伸平面横向地定向(例如垂直地)的方向。侧向方向与有源区的主延伸平面平行地延伸。特别地，侧向方向和垂直方向彼此垂直。

例如，第一半导体层形成为n导电层并且第二半导体层形成为p导电层，反之亦然。有源区例如设置在第一半导体层与第二半导体层之间。特别地，有源区是被设置用于在半导体组件的运行期间生成或检测电磁辐射的pn结区域。

半导体层序列例如基于第III-V族化合物半导体材料，其包括来自第III主族的至少一种元素(例如Al，Ga，In)以及来自第五主族的一种元素(例如N，P，As)。特别地，术语“第III-V族化合物半导体材料”包括二元、三元和四元化合物的群组，其含有来自第III主族的至少一种元素和来自第五主族的至少一种元素，例如氮化物和磷化物化合物半导体。N导电层和p导电层可以分别通过适当掺杂半导体材料来制造。半导体层序列也可以基于第II-VI族化合物半导体材料。

根据该方法的至少一个实施方案，在第二主表面的侧上形成包括至少第一接触区域、第二接触区域和通路的接触结构。通路电连接至例如第一接触区域。为了电接触第一半导体层，通路可以从第二主表面延伸贯穿第二半导体层和有源区至第一半导体层中。通路也可延伸贯穿第一半导体层。第二接触区域例如电连接至第二半导体层。

特别地，通路覆盖形成在半导体层序列中的凹部的垂直表面。在侧向方向上，凹部被例如半导体层序列完全包围。凹部可以延伸贯穿第二半导体层和有源区远至第一半导体层中和/或也可以贯穿第一半导体层。凹部可以通过蚀刻方法(例如，通过干式蚀刻方法)形成。可以形成多个凹部和多个通路。

根据该方法的至少一个实施方案，半导体层序列在远离衬底的侧上被图案化，使得形成半导体层序列的远离衬底的图案化第二主表面。第二主表面可以包括多个微棱镜。特别地，第二主表面在形成接触结构的步骤之前(例如，在形成接触结构的第一接触区域和第二接触区域之前)被图案化。

根据该方法的至少一个实施方案，在图案化第二主表面上施加镜层。镜层特别地至少在一些位置处复制图案化第二主表面。半导体层序列的第一主表面可以形成为辐射离开区域。在第二主表面的方向上发射的辐射可以由镜层朝向第一主表面反射。