[发明专利]多层陶瓷基板及其制造方法

说明书

本发明的多层陶瓷基板包括：彼此层叠的多个陶瓷层(300a、300b)；分别设置于多个陶瓷层，在多个陶瓷层的层叠方向上连接的通孔(400a、400b)；包含填充于各通孔的导体的导通配线(406a、406b)；位于多个陶瓷层中的至少一个陶瓷层的上表面上，包围上述导通配线的环状或部分环状的第一导体(404a、404b)；和第二导体(403a、403b)，其具有：位于至少一个陶瓷层的上表面上的第一导体的外侧的第一部分，和与第一导体重叠，且内缘位于比第一导体的内缘靠外侧的第二部分，第一导体(404a、404b)的厚度大于第二导体(403a、403b)的厚度。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷基板及其制造方法。

背景技术

多层陶瓷基板使用于收纳半导体元件等的封装、插入器(interposer)、组装有通信装置用的前置电路的天线开关模块、功率放大器模块、滤波器模块、天线等中。

多层陶瓷基板中，层叠有多个陶瓷层，在各层之间设置有通过丝网印刷形成的电极图案构成的配线层和构成电感器或电容器的电抗功能层。设置于不同的陶瓷层间的电极图案，适当通过贯通陶瓷层的导通配线相互连接。利用导通配线进行的连接，有时通过在多层陶瓷基板的厚度方向上连接导通配线来跨3层以上进行。另外，有时也将导通配线作为散热通孔，用于使从安装于多层陶瓷基板的放大器等的半导体产生的热向电路基板侧传递。

在这种多层陶瓷基板中，随着各种电子部件的小型化，要求在有限的面积内高密度地形成多个导通配线。另外，近年来，与因电路设计中的配线图案等的高密度化而使配线宽度进行窄小化的同时，要求如共面线或接地共面线那样，使导通配线和连接于导通配线的线路与相邻的接地电极的距离进一步窄小化。

多层陶瓷基板通过层叠形成有电极或配线图案和导通配线的陶瓷生片来制作。导通配线通过在陶瓷生片上形成通孔，并填充导体膏来形成。此时，为了保证导体膏到通孔的可靠的填充和导通配线间的可靠连接，导体膏被配置在比通孔稍大的区域，且填充得比通孔的开口高。从该通孔伸出来的部分被称为衬垫。

专利文献1中公开了，为了高密度地形成导通配线，使用没有衬垫的导通配线。专利文献2中公开了，在层叠了2层以上的陶瓷生片之后，形成将得到的层叠体贯通的通孔，并在通孔中填充导体膏，由此在层间不形成衬垫地形成层叠的导通配线。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平4-15991号公报

专利文献2：日本特开平11-74645号公报

发明内容

发明要解决的问题

根据本发明的发明人的研究，可知上述现有的技术中会产生新的技术问题。本申请的不作为限定而仅用于例示的实施方式，提供一种能够高密度地配置导通配线的多层陶瓷基板及其制造方法。

用于解决问题的方法

本发明的多层陶瓷基板，包括：相互层叠的多个陶瓷层；分别设置于上述多个陶瓷层，在上述多个陶瓷层的层叠方向上相连的通孔；包含填充于各通孔中的导体的导通配线；位于上述多个陶瓷层中的至少一个陶瓷层的上表面上，包围上述导通配线的环状或部分环状的第一导体；和第二导体，其具有位于上述至少一个陶瓷层的上表面上的上述第一导体的外侧的第一部分，和与上述第一导体重叠且内缘位于比上述第一导体的内缘靠外侧的位置的第二部分，上述第一导体的厚度比上述第二导体的厚度大。

本发明的另一多层陶瓷基板，包括：陶瓷烧结体；位于上述陶瓷烧结体的内部的导通配线；位于与上述导通配线的中心轴大致垂直的平面上，且在上述平面上包围上述导通配线的环状或部分环状的第一导体；和第二导体，其具有位于上述平面上的上述第一导体的外侧的第一部分，和与上述第一导体重叠且内缘位于比上述第一导体的内缘靠外侧的位置的第二部分，上述第一导体的厚度比上述第二导体的厚度大。