[发明专利]掩模组件和相关联的方法

说明书

一种方法，包括以下步骤：接收包括掩模和由表膜框架保持的可去除的EUV透明表膜的掩模组件，将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除，使用检查工具检查掩模上的掩模图案以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至掩模。方法还可以包括以下步骤：在将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除之后，将保持着备选表膜的备选表膜框架附接至掩模，备选表膜由对于检查工具的检查射束基本上透明的材料形成；以及在使用检查工具检查掩模上的掩模图案之后，将由备选表膜框架保持的备选表膜从掩模上去除，以便将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至掩模。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年2月3日提交的美国申请62/111,380和2015年2月20日提交的美国申请62/118,922和2015年12月21日提交的美国申请62/270,330的优先权，这些申请通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明涉及掩模组件，并且特别地但非排除性地涉及使用掩模组件的方法。掩模组件可以包括掩模和表膜。本发明具有与EUV光刻设备和EUV光刻工具有关的特别但非排他性的使用。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用在集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将来自图案化装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。

由光刻设备使用以将图案投影到衬底上的辐射的波长确定可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。使用作为具有在范围4nm至20nm内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成与常规光刻设备(其可以例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)相比较小的特征。

用于将图案赋予光刻设备中的辐射束的掩模可以形成掩模组件的一部分。掩模组件可以包括保护掩模以免被颗粒污染物损坏的表膜。表膜可以由表膜框架支撑。

光刻中的表膜的使用是众所周知的并且是完善的。EUV光刻设备中的典型表膜是在使用中位于远离掩模的位置且在光刻设备的焦平面之外的膜。因为表膜在光刻设备的焦平面之外，所以降落在表膜上的污染物颗粒在光刻设备中的焦点之外。结果，污染物颗粒的图像没有被投影到衬底上。如果表膜不存在，那么降落在掩模上的污染物颗粒将会被投影到衬底上并且会将缺陷引入到所投影的图案中。

可能期望在EUV光刻设备中使用表膜。EUV光刻与DUV光刻的不同之处在于，其典型地在真空中执行并且掩模典型地是反射式的而不是透射式的。可能会出现当表膜用于DUV光刻时不存在的与用于EUV光刻的表膜的使用有关的挑战。

可能期望提供克服或减轻与现有技术相关联的问题的掩模组件和相关联的方法。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种方法，包括以下步骤：接收掩模组件，掩模组件包括掩模和由表膜框架保持的可去除的EUV透明表膜；将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除；使用检查工具检查掩模上的掩模图案；以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至掩模。

方法是有利的，因为它允许在没有来自EUV透明表膜(其可以对于由掩模检查工具使用的射束是不透明的)的干扰的情况下对掩模的检查。

方法可以进一步包括：在将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除之后，将保持着备选表膜的备选表膜框架附接至掩模，备选表膜由对于检查工具的检查射束基本上透明的材料形成；以及在使用检查工具检查掩模上的掩模图案之后，将由备选表膜框架保持的备选表膜从掩模上去除，以便将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至掩模。