[发明专利]酞菁系配位化合物有效
申请号: | 201680009514.0 | 申请日: | 2016-02-09 |
公开(公告)号: | CN107207873B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 岩田亮介;石井康久;水野干久 | 申请(专利权)人: | 迪睿合电子材料有限公司 |
主分类号: | C09B47/12 | 分类号: | C09B47/12;C07D487/22;C07F1/08;C07F3/06;C09B47/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 齐雪娇;金玉兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 酞菁系配位 化合物 | ||
1.一种透明导电膜,其特征在于,包含金属纳米线,所述金属纳米线具有金属纳米线主体和吸附到所述金属纳米线主体的有色化合物,
所述有色化合物是由下述结构式(2)、(5)、(7)和(9)中的任一个表示的酞菁系化合物,
2.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,
所述酞菁系化合物在可见光区域中的吸收的最大波长处,E1%1cm为300以上。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电膜,其特征在于,
所述酞菁系化合物在水或者乙二醇中溶解0.01质量%以上。
4.根据权利要求1或2所述的透明导电膜,其特征在于,
所述酞菁系化合物作为数均粒径3μm以下的粒子分散于水或者乙二醇,或者作为分子溶解于水或者乙二醇。
5.根据权利要求1或2所述的透明导电膜,其特征在于,
所述酞菁系化合物在水中以0.1质量%溶解时,氢离子浓度以pH计为4~10。
6.一种如权利要求1或2所述的透明导电膜的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
制作将包括酞菁衍生物部位的原料溶解于溶剂而得的原料溶液、和将包括吸附到金属的部位的化合物溶解于溶剂而得的化合物溶液,并通过将所述原料溶液和所述化合物溶液混合,使其析出而得到酞菁系化合物。
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