[发明专利]检查方法及检查装置

说明书

检查装置具备：测试单元，其对半导体设备施加刺激信号；MO晶体，其与半导体设备相对地配置；光源，其输出光；光扫描器，其将光源所输出的光照射至MO晶体；光检测器，其检测自与半导体设备(D)相对地配置的MO晶体反射的光，并输出检测信号；及计算机，其基于根据刺激信号生成的参照信号与检测信号的相位差，生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据，并根据该相位图像数据，生成表示电流的路径的图像。

技术领域

本发明的一个方面涉及测量对象物的检查方法及检查装置。

背景技术

作为检查测量对象物的技术，有将自光源出射的光照射至测量对象物，并利用光传感器检测来自测量对象物的测量光(反射光)而获取检测信号的光探测技术。在这样的光探测技术中，已知有如下方法：将磁光(MO：Magneto-Optical)晶体与测量对象物的光照射面相对配置，检测与MO晶体的磁光效应相应的反射光，由此获取检测信号(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2013-544352号公报

发明内容

发明所要解决的问题

上述专利文献1中，基于表示所检测出的反射光的振幅(反射光的强度)的振幅(强度)像而获取金属表面的电流路径，从而特定金属上的故障部位。此处，反射光的振幅容易因磁光晶体的厚度的不均或磁光晶体的损伤等噪声成分的影响而发生变化。因此，根据振幅像获取电流路径的方法中，存在无法高精度地获取电流路径的情况。因此，本发明的一个方面的目的在于，提供一种能够高精度地获取电流路径的检查方法及检查装置。

解决问题的技术手段

一个方面所涉及的检查方法是通过对测量对象物施加刺激信号而获取测量对象物所产生的电流的路径的方法。该检查方法包括以下步骤：对测量对象物施加刺激信号的步骤；对与测量对象物相对地配置的磁光晶体照射光的步骤；检测对应于所照射的光而自磁光晶体反射的光，并输出检测信号的步骤；基于根据刺激信号生成的参照信号与检测信号的相位差而生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据的步骤；及基于相位图像数据生成表示电流的路径的图像的步骤。

另外，一个方面所涉及的检查装置是通过对测量对象物施加刺激信号而获取测量对象物所产生的电流的路径的装置。该检查装置具备：信号施加部，其对测量对象物施加刺激信号；磁光晶体，其与测量对象物相对地配置；光源，其输出光；照射光学系统，其对磁光晶体照射自光源输出的光；光检测器，其检测对应于照射光学系统所照射的光而自磁光晶体反射的光，并输出检测信号；解析部，其基于根据刺激信号生成的参照信号与检测信号的相位差而生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据；及电流路径图像生成部，其基于相位图像数据，生成表示电流的路径的图像。