[发明专利]用于太阳能电池金属化的损伤缓冲结构有效
申请号: | 201680009977.7 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN107466427B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 托马斯·P·帕斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0392;H01L31/04;H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 金属化 损伤 缓冲 结构 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
基板;
半导体区,所述半导体区设置在所述基板中或所述基板上方;
第一损伤缓冲结构,所述第一损伤缓冲结构设置在所述半导体区上方;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述损伤缓冲结构上方;和
第二导电层,所述第二导电层设置在所述第一导电层上方,其中所述第一导电层和所述第二导电层在所述损伤缓冲结构上方的第一位置处结合在一起;以及
其中,所述第一位置和所述第一损伤缓冲结构在入射激光束的方向上具有重叠区,并且所述第一损伤缓冲结构在所述重叠区中保持连续而不间断。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第一导电层和所述第二导电层在所述第一位置处通过焊缝结合在一起。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所结合的第一导电层和第二导电层的第一部分与所结合的第一导电层和第二导电层的第二部分在所述第一损伤缓冲结构上方的第二位置处分开。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,还包括设置在所述半导体区上方的第二损伤缓冲结构。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中所结合的第一导电层和第二导电层的第一部分与所结合的第一导电层和第二导电层的第二部分在所述第二损伤缓冲结构上方的第一位置处分开。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池,包括多个太阳能电池结构,其中所述第二导电层的一部分将相邻的所述太阳能电池结构串接起来。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中与所述第一损伤缓冲结构相比,所述第二损伤缓冲结构包括不同的材料组成或不同的厚度。
8.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中所述第一导电层和所述第二导电层包括交叉触指,其中所述第二位置设置在相应的所述交叉触指之间。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第二导电层为金属箔。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述半导体区包括交替的N型半导体区和P型半导体区,其中所述损伤缓冲结构被设置为与相应的所述交替的N型半导体区和P型半导体区之间的位置对准。
11.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
在设置在基板中或基板上方的半导体区上方形成第一损伤缓冲结构;
在所述第一损伤缓冲结构上和所述半导体区上形成第一导电层;
在所述第一导电层上形成第二导电层;以及
在所述第一损伤缓冲结构上方的第一位置处将所述第二导电层与所述第一导电层结合;
其中,所述第一位置和所述第一损伤缓冲结构在入射激光束的方向上具有重叠区,并且所述第一损伤缓冲结构在所述重叠区中保持连续而不间断。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括:
对所述第一导电层和所述第二导电层进行图案化。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述对所述第一导电层和所述第二导电层进行图案化是在所述第一损伤缓冲结构上方的第二位置处执行的。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述对所述第一导电层和所述第二导电层进行图案化是在形成在所述半导体区上方的第二损伤缓冲结构上方的第一位置处执行的。
15.根据权利要求12所述的方法,其中所述图案化包括移除所述损伤缓冲结构的至少一部分。
16.根据权利要求11所述的方法,其中所述结合包括在所述第一位置处将所述第二导电层激光焊接到所述第一导电层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的