[发明专利]用于太阳能电池金属化的损伤缓冲结构

说明书

本发明提供了一种太阳能电池结构，所述太阳能电池结构包括设置在基板中或基板上方的半导体区。损伤缓冲结构可设置在所述半导体区上方。第一导电层和第二导电层可在所述损伤缓冲结构上方的位置处结合在一起。

技术领域

本公开涉及太阳能电池技术领域，具体地，涉及一种包括损伤缓冲结构的太阳能电池及其制造方法。

背景技术

光伏电池，也称为太阳能电池，是用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶圆或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板的块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域，从而在掺杂区域之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至外部电路。

发明内容

本公开的一方面提供了一种太阳能电池，包括：

基板；

半导体区，所述半导体区设置在所述基板中或所述基板上方；

第一损伤缓冲结构，所述第一损伤缓冲结构设置在所述半导体区上方；

第一导电层，所述第一导电层设置在所述损伤缓冲结构上方；和

第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上方，其中所述第一导电层和所述第二导电层在所述损伤缓冲结构上方的第一位置处结合在一起。

本公开的另一方面提供了一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在设置在基板中或基板上方的半导体区上方形成第一损伤缓冲结构；

在所述第一损伤缓冲结构上和所述半导体区上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第二导电层；以及

在所述第一损伤缓冲结构上方的第一位置处将所述第二导电层与所述第一导电层结合。

本公开的又一方面提供了一种太阳能电池，包括：

基板；

交替的N型半导体区和P型半导体区，所述交替的N型半导体区和P型半导体区设置在所述基板中或所述基板上方；

多个结合损伤缓冲结构，所述多个结合损伤缓冲结构与相应的所述交替的N型半导体区和P型半导体区对准；

导电层，所述导电层设置在所述损伤缓冲结构上方；和

导电箔，所述导电箔设置在所述导电层上方，其中所述导电层和导电箔在所述多个结合损伤缓冲结构上方的位置处结合在一起。

所述太阳能电池可以包括至少一个太阳能电池结构。在一些实施例中，所述太阳能电池包括一个太阳能电池结构。在一些实施例中，所述太阳能电池包括多个太阳能电池结构，其中所述第二导电层的一部分将相邻的所述太阳能电池结构串接起来。

附图说明

当结合以下附图考虑时，通过参见具体实施方式和权利要求书可以更完全地理解所述主题，其中在所有附图中，类似的附图标记是指类似的元件。附图未按比例绘制。

图1至图7为剖视图，它们示意性地示出了根据本公开的实施方案的制造太阳能电池的方法。

图8是根据各种实施方案的太阳能电池的剖视图。

图9是根据本公开的实施方案的制造太阳能电池的方法的流程图。

图10和图11为剖视图，它们示意性地示出了根据本公开的实施方案的金属箔模块级图案化。

具体实施方式