[发明专利]耐漏电起痕性组合物、由其形成的制品及其制造方法

权利要求书

1.一种组合物，基于所述组合物的总重量，包含：

40wt％至70wt％的聚醚酰亚胺；

30至50wt％的滑石；和

1至15wt％的选自聚苯二甲酰胺、聚(硅氧烷-醚酰亚胺)共聚物、脂族聚酰胺、或包含前述中的至少一种的组合的聚合物添加剂；

全部组分的总和为100wt％，

其中所述组合物具有

在250伏下根据ASTM D-3638-85测定的大于或等于50滴的漏电起痕的液滴数；

根据ASTM D638测定的大于或等于50MPa的拉伸强度，和

根据ASTM D638测定的大于或等于10,000GPa的拉伸模量。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物具有根据ASTM D638测定的大于或等于65MPa的拉伸强度，和根据ASTM D638测定的大于或等于10,000GPa的拉伸模量。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚醚酰亚胺包括下式的单元

其中

R是相同或不同的，并且是取代的或未取代的二价有机基团，

T是-O-或式-O-Z-O-的基团，其中-O-或-O-Z-O-基团的二价键在3,3’、3,4’、4,3’或4,4’位；且其中Z是芳族C_6-24单环或多环部分，可选地被1至6个C_1-8烷基、1至8个卤素原子或它们的组合取代，条件是不超过Z的化合价。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中R是下式的二价基团

或包含前述中的至少一种的组合，其中Q¹是-O-、-S-、-C(O)-、-SO₂-、-SO-、-C_yH_2y-，其中y是1至5的整数，或它们的卤代衍生物，或-(C₆H₁₀)_z-，其中z是1至4的整数，且Z是下式的二价基团

其中Q是-O-、-S-、-C(O)-、-SO₂-、-SO-或-C_yH_2y-，其中y是1至5的整数或它们的卤代衍生物。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中R是间亚苯基且Q是异丙叉基。

6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物添加剂包括聚(硅氧烷-醚酰亚胺)共聚物，以及所述聚(硅氧烷-醚酰亚胺)共聚物包括下式的醚酰亚胺单元

其中

R是相同或不同的，并且是取代的或未取代的二价有机基团，

T是-O-或式-O-Z-O-的基团，其中-O-或-O-Z-O-基团的二价键在3,3’、3,4’、4,3’或4,4’位；且其中Z是芳族C_6-24单环或多环部分，可选地被1至6个C_1-8烷基、1至8个卤素原子或它们的组合取代，条件是不超过Z的化合价；以及

衍生自下式的聚硅氧烷二胺的硅氧烷单元

其中

R’各自独立地为C₁-C₁₃烃基，

R⁴各自独立地为C₂-C₂₀烃基，以及

E的平均值为从5至100。

7.根据权利要求6所述的组合物，其中在所述聚硅氧烷二胺中，R’是甲基，R⁴是1,3-亚丙基，且E是5至100；以及其中在醚酰亚胺单元中，R是亚苯基，且Z是双酚A的残基。