[发明专利]用于图案化的掩模蚀刻

权利要求书

1.一种制造电子装置的方法，包含以下步骤：

在基板上方的特征层上沉积第一硬掩模层，所述第一硬掩模层包含有机掩模层；

在高于室温的第一温度下使用包含卤元素和氧元素的第一等离子体在所述第一硬掩模层中形成开口，以暴露出所述特征层的一部分，所述开口具有轮廓和临界直径，其中形成所述开口包括用以保持所述开口的所述轮廓和所述临界直径中至少一个的第一蚀刻操作、第二蚀刻操作和第三蚀刻操作，其中用以在所述第一蚀刻操作提供所述氧元素的气体流动速率大于用以在所述第二蚀刻操作提供所述氧元素的气体流动速率，所述用以在所述第二蚀刻操作提供所述氧元素的气体流动速率大于用以在所述第三蚀刻操作提供所述氧元素的气体流动速率；以及

提高所述第一温度以调谐所述轮廓和所述临界直径中的至少一个。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述有机掩模层包含掺杂剂。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含

在所述第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层；以及

使用第二等离子体在所述第二硬掩模层中形成开口。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述特征层包含一个或更多个绝缘层、一个或更多个导电层、一个或更多个半导体层、或上述的任意组合。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含

调整一个或更多个参数来控制所述开口的所述轮廓、所述开口的所述临界直径、或者所述开口的所述轮廓和所述临界直径，所述一个或更多个参数包含气体流动速率、偏压功率、压力、电源、时间、或上述的任意组合。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包含

使用所述第一等离子体在所述开口的侧壁上形成钝化层。

7.一种制造电子装置的方法，包含以下步骤：

将第一气体供应至腔室，所述第一气体用以提供包含卤元素和氧元素的第一等离子体；

在第一温度下使用所述卤元素和所述氧元素蚀刻有机掩模层，以形成开口从而暴露出绝缘层的一部分，所述有机掩模层在基板上方的所述绝缘层上包含掺杂剂，所述开口具有轮廓和临界直径，其中蚀刻所述有机掩模层包括用以保持所述轮廓和所述临界直径中至少一个的第一蚀刻操作、第二蚀刻操作和第三蚀刻操作，其中用以在所述第一蚀刻操作提供所述氧元素的所述第一气体的流动速率大于用以在所述第二蚀刻操作提供所述氧元素的所述第一气体的流动速率，所述用以在所述第二蚀刻操作提供所述氧元素的所述第一气体的流动速率大于用以在所述第三蚀刻操作提供所述氧元素的所述第一气体的流动速率；以及

提高所述第一温度以调谐所述轮廓和所述临界直径中的至少一个，其中所述第一温度大于室温。

8.如权利要求7所述的方法，其中蚀刻所述有机掩模层包含移除第二气体，所述第二气体包含与所述卤元素耦合的所述掺杂剂。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述绝缘层包含氧化物层、氮化物层、或者上述的任意组合。

10.如权利要求7所述的方法，进一步包含

供应第二气体，以将第二等离子体提供到所述腔室；以及

在比所述第一温度低的第二温度下使用所述第二等离子体在所述有机掩模层上蚀刻抗反射涂层。

11.如权利要求7所述的方法，进一步包含

使用所述第一等离子体在所述开口的侧壁上形成钝化层。

12.如权利要求7所述的方法，进一步包含

供应第三气体，以将第三等离子体提供到所述腔室中；以及

使用所述第三等离子体蚀刻所述绝缘层的暴露部分。