[发明专利]元件制造方法

权利要求书

1.一种元件制造方法，包括：

第1工序，得到具有基准面的被加工物的面方向上的厚度分布；

第2工序，根据所述厚度分布与期望的膜厚分布的差分，计算出加工量分布；

第3工序，根据所述加工量分布对所述被加工物进行局部加工；

第4工序，在所述第3工序之后，将所述被加工物的面内区分成多个元件部，在各元件部形成电极；以及

第5工序，按多个所述元件部的每一个进行分割，形成多个元件，

使用具有光透射性的物体作为所述被加工物，

所述第1工序包括：

膜厚候补值测定工序，在使光与所述被加工物的相对位置发生变化的同时向所述被加工物照射该光，对其反射光进行分光，由此得到膜厚候补值；

参照膜厚测定工序，在所述被加工物的多个部位基于谐振频率来测定参照膜厚；以及

膜厚决定工序，利用所述参照膜厚对所述膜厚候补值进行修正，获得面内的厚度分布，

在所述膜厚决定工序中，基于所述参照膜厚从离散存在的多个所述膜厚候补值中选择真正的膜厚候补值，由此进行所述膜厚候补值的修正。

2.根据权利要求1所述的元件制造方法，其中，

在所述第3工序中，所述加工是局部地产生等离子并在与所述加工量分布相应的滞留时间内改变所述被加工物与所述等离子的产生部的相对位置的同时进行的。

3.根据权利要求1或2所述的元件制造方法，还包括：

第1蚀刻工序，在所述第1工序之前，将所述被加工物浸渍到具有各向同性的蚀刻液中。

4.根据权利要求1或2所述的元件制造方法，还包括：

第2蚀刻工序，接着所述第3工序，将所述被加工物浸渍到具有各向同性的蚀刻液中。

5.根据权利要求1或2所述的元件制造方法，其中，

在所述膜厚候补值测定工序中，使用白色光作为所述光，将所述光照射成一线状，将一线状的所述光的所述反射光保持一线状的同时进行分光，并保持线状的同时获得膜厚候补值。

6.根据权利要求1或2所述的元件制造方法，其中，

所述被加工物是晶体。

7.根据权利要求1或2所述的元件制造方法，还包括：

第1蚀刻工序，在所述第1工序之前，将所述被加工物浸渍到具有各向同性的蚀刻液中；以及

第2蚀刻工序，接着所述第3工序，将所述被加工物浸渍到具有各向同性的蚀刻液中，

所述第1蚀刻工序的蚀刻时间比所述第2蚀刻工序的蚀刻时间长。