[发明专利]元件制造方法

说明书

提供一种元件制造方法。本发明的元件制造方法包括：第1工序，得到被加工物(100)的面方向上的厚度分布；第2工序，根据所述厚度分布与期望的膜厚分布的差分，计算出加工量分布；第3工序，根据所述加工量分布，对所述被加工物进行局部加工；第4工序，在所述第3工序之后，将所述被加工物的面内区分成多个元件部，在各元件部形成电极；以及第5工序，按多个所述元件部的每一个进行分割，形成多个元件。

技术领域

本发明涉及制造元件的元件制造方法。

背景技术

从基板形成元件时，有时会因基板的厚度分布而使得各元件的特性产生偏差。作为这样的元件的一例，例如可例示晶体振子。晶体振子具备与包括晶体的基板的厚度相应的频率特性。该基板的厚度在面方向上具有分布(面内分布)。基板的厚度的面内分布(偏差)直接关系到频率特性的偏差。因此，通过在基板上形成的电极的形状、厚度等来对发生了偏差的特性进行调整，或者将基板单片化后按厚度挑选，然后形成元件，以便不会产生特性的偏差(例如，参照JP特开2006-93865号公报、JP特开2004-191079号公报)。

发明内容

用于解决课题的手段

本发明的一实施方式涉及的元件制造方法包括：第1工序、第2工序、第3工序、第4工序和第5工序。第1工序是膜厚分布取得工序，获得具有基准面的被加工物的面方向上的厚度分布。第2工序是加工量分布取得工序，根据所述厚度分布与期望的膜厚分布的差分，计算出加工量分布。第3工序是局部加工工序，根据所述加工量分布，对所述被加工物进行局部加工。第4工序是电极形成工序，在第3工序之后，将所述被加工物的面内区分成多个元件部，在各元件部形成电极。第5工序是单片化工序，按多个所述元件部进行分割，形成多个元件。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能以高生产性来制造元件的元件制造方法。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的元件制造方法的流程图。

图2(a)～(d)是表示第1实施方式涉及的元件制造方法的各工序的主要部分剖视图。

图3(a)、(b)是表示第1实施方式涉及的元件制造方法的制造中途的被加工物的状态的俯视图。

图4是表示第3工序中使用的大气压等离子产生装置的简要结构的示意图。

图5是膜厚测定装置的示意图。

图6(a)、(b)分别是表示各方法中的膜厚分布测定结果的曲线图。

具体实施方式

《第1实施方式》

参照附图，说明本发明的元件制造方法的一实施方式。

图1是表示元件制造方法的工序流程的图。图2是表示元件的制造中途的各工序的剖视图。图3是表示元件的制造中途的各工序的俯视图。另外，这些图是用于说明的示意性附图，并不反映实际的尺寸比率。如图1所示，元件制造方法包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序和第5工序。

在第1工序之前，准备被加工物100。被加工物100具有基准面，例如可以使用硅(Si)等半导体基板、晶体、钽酸锂基板(LT基板)、铌酸锂基板(LN基板)等压电基板、蓝宝石基板等单晶绝缘基板、碳化硅(SiC)基板等各种基板。在这种基板状的情况下，基板的上表面或者下表面成为基准面。在该例子中，使用通过多线切割机等以期望的切角切割人工晶体的原矿石后得到的晶体晶片，作为被加工物100。在切片后也可以实施研磨加工。作为这样的晶体晶片，可例示直径为2英寸、厚度为20μm～200μm的晶片。