[发明专利]固态摄像器件和制造方法、半导体晶片及电子装置

权利要求书

1.一种固态摄像器件的制造方法，所述固态摄像器件包括：芯片区域，在所述芯片区域中设置有多个像素和用于驱动所述像素的元件；以及测量区域，其与所述芯片区域相邻地设置，且在所述测量区域中没有设置驱动所述像素所需的元件和配线，而是设置有用于测量所述芯片区域的性能的测量焊盘，所述制造方法包括以下步骤：

在半导体晶片上形成包括所述芯片区域和所述测量区域在内的多个区域以及划分所述多个区域的切割线；以及

对所述切割线进行切割处理，以将所述半导体晶片单片化为由所述芯片区域和所述测量区域构成的所述固态摄像器件，

其中，由Cu制成的虚拟Cu图案形成在所述切割线中，且在所述切割线中的所述虚拟Cu图案的铜覆盖率低于与所述切割线不同的区域中的铜覆盖率。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，

所述半导体晶片由设置有所述像素的传感器晶片以及与所述传感器晶片不同的一个或多个其它晶片构成；且

在去除所述传感器晶片的所述切割线所处的部位处的硅之后，进行所述切割处理。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，在所述测量区域中还设置有用于测量所述性能的检查电路。

4.如权利要求2所述的制造方法，其中，在每个所述其它晶片的所述切割线所处的部位还设置有用于测量所述性能的检查电路。

5.一种半导体晶片，其包括：

芯片区域，在所述芯片区域中设置有多个像素和用于驱动所述像素的元件；

测量区域，其与所述芯片区域相邻地设置，且在所述测量区域中没有设置驱动所述像素所需的元件和配线，而是设置有用于测量所述芯片区域的性能的测量焊盘；以及

切割线，其划分包括所述芯片区域和所述测量区域的多个区域，

其中，由Cu制成的虚拟Cu图案形成在所述切割线中，且在所述切割线中的所述虚拟Cu图案的铜覆盖率低于与所述切割线不同的区域中的铜覆盖率。

6.如权利要求5所述的半导体晶片，其中，

所述半导体晶片由设置有所述像素的传感器晶片以及与所述传感器晶片不同的一个或多个其它晶片构成；且

所述传感器晶片的所述切割线所处的部位处于硅被去除的状态。

7.如权利要求5或6所述的半导体晶片，其中，在所述测量区域中还设置有用于测量所述性能的检查电路。

8.如权利要求6所述的半导体晶片，其中，在每个所述其它晶片的所述切割线所处的部位还设置有用于测量所述性能的检查电路。