[发明专利]固态摄像器件和制造方法、半导体晶片及电子装置

说明书

本发明涉及能够提高良品率的固态摄像器件和制造方法、半导体晶片以及电子装置。在半导体晶片上形成有芯片区域和划线区域，在所述芯片区域中形成有构成固态摄像器件的像素等。所述划线区域包括测量区域和在将所述半导体晶片单片化时将被切割的切割线，在所述测量区域中形成有用于测量所述芯片区域的性能的检查电路以及测量焊盘。所述测量区域位于所述切割线与所述芯片区域之间。本发明可应用于固态摄像器件。

技术领域

本发明涉及固态摄像器件和制造方法、半导体晶片以及电子装置，并且更具体地涉及能够提高良品率的固态摄像器件和制造方法、半导体晶片以及电子装置。

背景技术

在制造诸如互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)图像传感器之类的固态摄像器件时，在通过层叠将多个作为固态摄像器件的芯片形成在半导体晶片中之后，再通过切割使半导体晶片单片化。

在已知的技术中，为了测量如上所述的这种芯片的性能以确认芯片是否完好，在半导体晶片还未被单片化的状态下使用检查电路来测量芯片的性能。

例如，已经提出了如下检查电路和技术，所述检查电路生成将被提供给每个芯片的电路区块的性能测量用信号并将该信号提供给芯片的电路区块以测量性能，且所述技术用于在半导体晶片的划线区域(scribe region)中形成与检查电路连接的焊盘(例如，参考PTL 1)。

[引用列表]

[专利文献]

[PTL 1]

JP 2002-176140 A

发明内容

[技术问题]

然而，根据上述技术，难以提高制造固态摄像器件时的良品率。

例如，如果在划线区域中形成将被连接至检查电路的检查用焊盘，则会在焊盘位置处出现台阶。此外，为了强度增强，需要在检查用焊盘的正下方设置厚的全局层的铜(Cu)图案或一些其它Cu图案。

在这种情况下，如果试图例如通过刀片切割来切割划线区域，则有时会在焊盘的台阶状部位产生碎片(缺失)，或者切割刀片在Cu图案的位置处产生阻塞而导致产生碎片。如果产生这样的碎片，则固态摄像器件的电路等有时会被损坏，从而导致良品率下降。

另外，例如，根据上述技术，由于在划线区域中形成有检查电路，所以在划线区域中的表面层中存在硅(Si)层。因此，在例如通过激光烧蚀切割对划线区域进行切割的情况下，在激光加工时，Cu图案中的Si和Cu熔融并且在划线区域中形成Cu硅化物。

在以此方式产生的Cu硅化物中，反应甚至在室温下进行，使得Cu硅化物以改变其状态的方式生长，从而导致产生尘埃。这样的尘埃会导致固态摄像器件中的像素缺陷，从而致使良品率下降。特别地，如果在半导体晶片的将要形成像素的层的划线区域的位置处出现Si，则很可能产生像素缺陷。

本发明是针对如上所述的情况而提出的，并且期望能够提高固态摄像器件在制造时的良品率。

[问题的解决方案]

根据本发明的第一方面的固态摄像器件包括：芯片区域，在所述芯片区域中设置有多个像素和用于驱动所述像素的元件；以及测量区域，其与所述芯片区域相邻地设置，且在所述测量区域中没有设置驱动所述像素所需的元件和配线，而是设置有用于测量所述芯片区域的性能的测量焊盘。

还可在所述测量区域中设置用于将用来测量所述性能的检查电路与所述测量焊盘彼此连接的连接配线。

还可在所述测量区域中设置所述检查电路。