[发明专利]在塑料镀覆方法中使用无铬蚀刻剂时用于挂架的抑制剂组合物

权利要求书

1.一种用于抑制挂架区域的绝缘表面的方法，所述方法包括使表面与水性抑制组合物接触的步骤，其中所述水性抑制组合物包含抑制剂，该抑制剂为至少一种式I的抑制剂：

R₂N-C(S)Y (I)

其中R各自独立地为H或支链或非支链C₁至C₁₃的烷基、烯基或芳基，Y为XR¹、NR²₂或N(H)NR³₂，其中X为O或S，而R¹、R²、R³各自独立地为H、碱金属或支链或非支链C₁至C₁₃的烷基、烯基或芳基，

其中该抑制剂的浓度范围为≥1g/l至≤10g/l，

其中该挂架的绝缘区域上的绝缘体是从PVC、聚碳酸酯、聚酰胺、聚氨酯、PTFE、ECTFE、部分卤化的聚合物中选出的聚合物，

并且其中，在范围为≥40℃至≤70℃的温度下将该表面与所述抑制组合物接触≤10分钟和≥10秒之间的一段时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使表面与抑制组合物接触的步骤被包括在塑料镀覆生产线中蚀刻工艺步骤之前的工艺生产线中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使表面与抑制组合物接触的步骤与剥离挂架的步骤相结合成为单一工艺步骤，或者其中使表面与抑制组合物接触的步骤与预清洗步骤相结合成为蚀刻步骤之前的单一工艺步骤。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻工艺步骤是使用锰基蚀刻剂进行的。

5.根据权利要求1所述的方法，所述组合物的pH值为2～13。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制组合物还包含至少一种缓冲剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制组合物还包含增加抑制剂化合物在组合物中的溶解度的试剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制组合物还包含用于挂架绝缘体聚合物的一种或多种溶胀剂。