[发明专利]用于电阻式存储器器件的电极结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

导电阻挡层；

互连层；

电介质材料的盖层，在所述互连层与所述导电阻挡层之间，所述盖层的至少一部分与所述互连层接触；以及

电阻式存储器器件的电极，所述电极介于所述互连层与所述导电阻挡层之间，所述电极包括钴钨磷(CoWP)，其中所述导电阻挡层具有与所述盖层和所述电极的顶表面重叠的第一部分和与所述盖层的侧表面重叠的第二部分，其中所述第二部分垂直于所述第一部分，并且在垂直于所述顶表面的方向上所述第二部分的高度大于所述电极的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极使用无电沉积被沉积在所述互连层上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述互连层和所述电极根据亚40纳米工艺来制造。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述电极的厚度在10nm到30nm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述互连层被包括在所述半导体器件的金属层中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻式存储器器件包括磁性隧道结(MTJ)元件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述互连层布置在第一电介质区段与第二电介质区段之间，并且其中所述第一电介质区段和所述第二电介质区段以及所述互连层被包括在所述半导体器件的下部部分中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括在所述盖层上的氧化物层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述盖层和所述氧化物层的组合厚度等于所述电极的厚度。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述盖层包括碳氮化硅(SiCN)，并且其中所述氧化物层包括二氧化硅(SiO₂)。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括被蚀刻穿过所述盖层和所述氧化物层的对准标记。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极具有实质上均匀的宽度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电阻挡层包括平坦化的导电阻挡层。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电阻挡层包括氮化钽(TaN)。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极位于所述互连层上并且从所述互连层延伸穿过所述盖层中的开口到所述导电阻挡层，并且其中所述电极与所述盖层中的所述开口的侧壁接触。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电阻挡层位于所述电极上。

17.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述导电阻挡层位于所述氧化物层上。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述盖层与所述导电阻挡层之间的氧化物层。

19.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在衬底与所述互连层之间的至少一个层。

20.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻式存储器器件包括磁性隧道结(MTJ)，并且其中所述电极的厚度在10nm与30nm之间。