[发明专利]形成具有低Z高度3D相机的集成封装结构的方法有效
申请号: | 201680011851.3 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN107278327B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | W·施 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;H04N13/204 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 具有 高度 相机 集成 封装 结构 方法 | ||
说明了形成3D相机设备的方法以及由此形成的结构。实施例包括被设置在板上的第一光学模块和第二光学模块,其中,第一传感器管芯耦合到第一光学模块,第二传感器管芯耦合到第二光学模块。第一传感器管芯和第二传感器管芯直接耦合到板,并且柔性导电连接器耦合到第一光学模块和第二光学模块两者。
背景技术
随着微型化的发展,例如人们努力构造传感器(例如,用于相机(camera)中的传感器)以用于微电子设备(例如,膝上型计算机)和移动设备中。这样的应用可以包含使用3D相机设备,该3D相机设备可以包括图像传感器,例如可以耦合到光学模块的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
附图说明
尽管本说明书以特别指出并且明确要求保护某些实施例的权利要求书作为结论,但当结合附图阅读对本发明的以下描述时,可以更容易地从对本发明的以下描述确定这些实施例的优点,在附图中:
图1a-1e表示根据本文实施例的结构的横截面图。
图2a-2b表示根据实施例的结构的横截面图。
图2c表示根据实施例的结构的俯视图。
图3表示根据实施例的方法的流程图。
图4表示根据实施例的组件的横截面图。
图5表示根据实施例的系统。
具体实施方式
在以下具体实施方式中参考了附图,该附图以例示的方式示出了其中可以实践方法和结构的具体实施例。对这些实施例进行了充分详细的描述,以使本领域技术人员能够实践实施例。应当理解,各个实施例虽然不同,但不一定是相互排斥的。例如,可以在其它实施例中实施本文结合一个实施例所描述的特定特征、结构或特性,而不脱离实施例的精神和范围。此外,应当理解,可以在不脱离实施例的精神和范围的情况下修改每个公开的实施例中的个体元件的位置或布置。因此,并非在限制意义上采用以下具体实施方式,并且仅由所附权利要求书来限定实施例的范围,适当地解释的情况下,与权利要求书的等同形式的整个范围来一起限定实施例的范围。在附图中,相似的附图标记可以贯穿若干附图指代相同或相似的功能。
本文描述了形成和利用微电子结构(例如,3D相机结构/设备)的方法以及相关联的结构。实施例可以包括第一光学模块和第二光学模块,第一光学模块包括第一传感器管芯,第二光学模块包括第二传感器管芯。第一传感器管芯和第二传感器管芯可以直接耦合到板。可以直接设置在板上的柔性导电连接器可以位于第一光学模块与第二光学模块之间,并且可以耦合到第一光学模块和第二光学模块两者。
图1a-1e示出了诸如3D相机结构之类的相机结构的实施例的横截面图。在实施例中,管芯102的第一侧101可以与滤波器104耦合,滤波器104在一些情况下(图1a)可以包括红外滤波器104。在实施例中,滤波器104可以包括玻璃材料,并且在一些实施例中可以包括玻璃晶圆。在实施例中,滤波器104可以包括第一侧107和第二侧109。在实施例中,滤波器104可以包括中心部分111和两个端部部分113、113',其中,两个端部部分113、113'与耦合连接件103相邻。
在实施例中,管芯102可以包括传感器管芯102。在实施例中,传感器管芯102可以包括CMOS传感器管芯102,并且可以用于相机应用中,例如3D相机应用。在实施例中,管芯102的第一侧101可以耦合到滤波器104的第一侧107,并且在一些情况下,管芯104可以直接耦合到滤波器104的第一侧107。在实施例中,管芯102可以包括倒装芯片管芯102,并且可以通过使用导电连接件103耦合到滤波器104。在实施例中,导电连接件103可以包括焊接连接件103,例如球栅阵列焊接连接件。在其它实施例中,其它类型的导电连接件103可以用于将管芯102耦合到滤波器104。在实施例中,其中焊球包括锡银合金的工艺可以将管芯102连接到滤波器104。在另一个实施例中,非导电环氧树脂可以用于将管芯102耦合到滤波器104。在实施例中,导电连接件103可以在管芯102与滤波器104之间的区域105中提供诸如密闭性密封之类的密封。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的