[发明专利]摄像装置、其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201680011954.X | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN107278328B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 胁山悟;田川幸雄 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,其包括:
第一半导体基板,所述第一半导体基板包括:
第一区域,所述第一区域具有光电转换部和通路部,所述通路部穿透所述第一半导体基板的半导体层;
第二区域,所述第二区域在与所述第一半导体基板的表面平行的方向上与所述第一区域邻接;和
连接部,所述连接部被布置在所述第二区域中;以及
第二半导体基板,
其中,所述连接部将处于堆叠构造中的所述第一半导体基板和所述第二半导体基板电气连接,
所述连接部的宽度大于所述通路部的宽度,
所述第一半导体基板还包括设置于所述半导体层的表面侧处的布线层,
所述通路部被连接至设置于所述布线层中的布线,并且
所述连接部被形成在所述布线层中。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述通路部的与所述布线层中的所述布线连接的部分的截面面积小于将所述第一半导体基板和所述第二半导体基板电气连接的所述连接部的面积。
3.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第二半导体基板的总面积小于所述第一半导体基板的总面积。
4.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第二半导体基板的长度和宽度分别小于所述第一半导体基板的长度和宽度。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述连接部具有第一电极部和金属层部,并且
通过把所述连接部和设置于所述第二半导体基板上的微凸块连接起来,所述第二半导体基板被安装在所述第一半导体基板上。
6.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述布线层中的金属层位于所述连接部与所述第一半导体基板的所述半导体层之间。
7.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
在所述布线层中,形成有电极、所述连接部和连接线,所述连接线被设置于所述通路部的表面侧的端部处,并且
在所述第一半导体基板的位于所述连接部正下方的区域中,形成有凹槽,所述凹槽用于降低所述连接部相对于所述连接线和所述电极的台阶。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像装置,其中,
所述第二半导体基板利用焊料而被连接至所述第一半导体基板的所述第二区域。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像装置,其中,
所述第二半导体基板和所述第一半导体基板的所述第二区域通过将Cu电极堆叠且接合在一起而被接合在一起。
10.一种摄像装置制造方法,所述摄像装置包括:
第一半导体基板,所述第一半导体基板包括:
第一区域,所述第一区域具有光电转换部和通路部,所述通路部穿透所述第一半导体基板的半导体层;
第二区域,所述第二区域在与所述第一半导体基板的表面平行的方向上与所述第一区域邻接;和
连接部,所述连接部被布置在所述第一半导体基板的所述第二区域中;以及
第二半导体基板,
其中,所述连接部将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板电气连接,且
所述连接部的宽度大于所述通路部的宽度,
并且所述制造方法包括:
在所述第一半导体基板中形成所述通路部;
在所述第一半导体基板的所述半导体层的表面侧处设置布线层,所述通路部被连接至设置于所述布线层中的布线;
在所述布线层中形成所述连接部;以及
将所述第二半导体基板安装在所述第一半导体基板上。
11.一种电子设备,其包括如权利要求1至9中任一项所述的摄像装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的