[发明专利]摄像装置、其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201680011954.X | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN107278328B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 胁山悟;田川幸雄 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
本技术提供了一种摄像装置,其包括第一半导体基板(21)和第二半导体基板(81)。第一半导体基板具有第一区域(22、R11)、第二区域(R12)和连接部(53、84、85),第一区域(22、R11)包括光电转换部(67)和通路部(51),通路部(51)穿透第一半导体基板的半导体层(62),第二区域(R12)在与第一半导体基板的表面平行的方向上与第一区域邻接,连接部(53、84、85)被布置在第二区域中。在所述摄像装置中,连接部将处于堆叠构造中的第一半导体基板和第二半导体基板电气连接,并且连接部的宽度大于通路部的宽度。第一半导体基板还包括设置于半导体层的表面侧处的布线层。通路部被连接至设置于该布线层中的布线。连接部被形成在该布线层中。
技术领域
本技术涉及固体摄像装置、其制造方法和电子设备,且具体地,涉及能够以更简单的方式提供小型固体摄像装置的固体摄像装置、其制造方法和电子设备。
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年3月12日提交的日本优先权专利申请JP2015-049719和2015年8月24日提交的日本优先权专利申请JP2015-164465的权益,因此将这两个日本优先权专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
背景技术
在过去,人们就已经知晓包括用于对入射光进行光电转换的像素部和用于执行信号处理的周边电路部的固体摄像装置。在这种固体摄像装置中,像素部的尺寸因为安装在该固体摄像装置中的产品的光学系统而几乎是固定不变的,然而周边电路部却随着工艺世世代代的进化而被依比例缩放,以便减小固体摄像装置的尺寸和成本。
而且,加工步骤包括许多仅针对像素部执行的步骤以及仅针对周边电路部执行的步骤。因此,能够通过将像素部和周边电路部制造在不同晶片上、然后将这些晶片裁切成各自具有最佳尺寸的个体半导体元件、并且将这些半导体元件堆叠且接合在一起,来以更低的成本制造出固体摄像装置。
如上所述,作为其中像素部和周边电路部被划分成不同的元件并且芯片上芯片(CoC:chip on chip)堆叠技术被采用的固体摄像装置,人们已经提出了如下的倒装芯片结构:在该结构中,周边电路部的周边电路半导体元件被安装在用于构成前侧照射型传感器的传感器半导体元件的光接收表面上的处于像素以外的区域上(例如,参照专利文献1)。
而且,人们已经提出了具有如下结构的固体摄像装置:该结构在周边电路半导体元件上堆叠用于构成背侧照射型传感器的传感器半导体元件,该传感器半导体元件在与光接收表面相反的表面上具有电极(例如,参照专利文献2和专利文献3)。
如上所述,在固体摄像装置中,作为传感器半导体元件和周边电路半导体元件的CoC堆叠结构,人们已经提出了:在传感器半导体元件的光接收表面侧上堆叠周边电路半导体元件的结构、以及在传感器半导体元件的非光接收表面上堆叠周边电路半导体元件的结构。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:JP 2010-543799A
专利文献2:JP 5083272B
专利文献3:JP 4940667B
发明内容
要解决的技术问题
然而,在上述的技术中,难以以更简单的方式获得小型固体摄像装置。
例如,关于在传感器半导体元件的光接收表面侧处堆叠周边电路半导体元件的结构,要在用于执行光电转换的像素部的区域以外制备用于堆叠周边电路半导体元件的区域。在这种情况下,当传感器半导体元件是前侧照射型时,能够在该传感器半导体元件中的周边电路半导体元件安装部的下侧的区域中安置电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的