[发明专利]自存储和自恢复非易失性静态随机存取存储器

权利要求书

1.一种能够进行自存储和自恢复的装置，所述装置包括：

静态随机存取存储器(SRAM)单元，其具有集成在所述SRAM单元内的至少两个非易失性(NV)电阻式存储器元件；以及

第一逻辑，其用于将存储在所述SRAM单元中的数据自存储到所述至少两个NV电阻式存储器元件，其中，所述第一逻辑能够操作用于在施加到所述SRAM单元的电源电压降低到阈值电压或变得接近所述阈值电压时，通过将位线和互补位线上的电压放电为接地来自存储所述数据。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述静态随机存取存储器(SRAM)单元还包括第一存取器件与第二存取器件，所述第一逻辑设置字线电压以使其高于所述第一与第二存取器件的阈值电压但低于所述电源电压。

3.根据权利要求1所述的装置，包括第二逻辑以将数据从所述至少两个NV电阻式存储器元件自恢复回到所述SRAM单元。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二逻辑能够操作用于在施加到所述SRAM单元的电压增加到阈值电压时从所述至少两个NV电阻式存储器元件自恢复数据。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二逻辑能够操作用于在施加到所述SRAM单元的电压接近电源电平时从所述至少两个NV电阻式存储器元件自恢复数据。

6.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二逻辑能够操作用于在加电期间将接地电压施加到所述位线、所述互补位线和字线。

7.根据权利要求1所述的装置，包括能够操作用于重置所述至少两个NV电阻式存储器元件的第三逻辑。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第三逻辑能够操作用于通过将位线和互补位线设置为逻辑高来重置所述至少两个NV电阻式存储器元件。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少两个NV电阻式元件串联耦合。

10.根据权利要求9所述的装置，包括耦合到所述至少两个NV电阻式元件的公共节点的源晶体管。

11.根据权利要求9所述的装置，包括：

第一晶体管，其耦合到所述至少两个NV电阻式元件中的一个NV电阻式元件和第一存取器件；以及

第二晶体管，其耦合到所述至少两个NV电阻式元件中的另一个NV电阻式元件和第二存取器件。

12.根据权利要求11所述的装置，包括：

第三晶体管，其耦合到所述第一晶体管和所述至少两个NV电阻式元件中的一个NV电阻式元件的公共节点；以及

第四晶体管，其耦合到所述第二晶体管和所述至少两个NV电阻式元件中的另一个NV电阻式元件的公共节点。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管能够由第一控制信号控制。

14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第二晶体管和所述第四晶体管能够由第二控制信号控制。

15.根据权利要求10所述的装置，包括用于在正常存储器操作期间旁路掉所述至少两个NV电阻式元件的逻辑。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述逻辑使电流从位线和互补位线流动穿过所述至少两个NV电阻式元件和所述源晶体管。

17.根据权利要求1所述的装置，其中，所述NV电阻式存储器元件与所述SRAM单元集成在一起，以使得在所述SRAM单元的正常操作期间维持所述NV电阻式存储器元件的状态。