[发明专利]用于编程抑制的方法和装置

权利要求书

1.一种编程抑制方法，其包括：

将施加到连接到串联连接存储器单元串中的未经编程第一存储器单元的控制栅极的第一存取线的电压从第一电压增加到第二电压，同时使施加到连接到所述串联连接存储器单元串中的第二存储器单元的控制栅极的第二存取线的电压处于所述第一电压；及

将施加到所述第二存取线的所述电压从所述第一电压增加到通过电压，同时将施加到所述第一存取线的所述电压从所述第二电压增加到编程电压；

其中所述串联连接存储器单元串中的所述第二存储器单元包括所述串联连接存储器单元串中除所述未经编程第一存储器单元之外的所有所述存储器单元；以及

其中，所述第二存储器单元包括在所述第一存取线和所述串联存储单元串的第一端之间的至少一个第二存储单元，以及在所述第一存取线和所述串联存储单元串的与所述第一端相对的第二端之间的至少一个第二存储单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二存储器单元包括经编程第二存储器单元及未经编程第二存储器单元。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当施加到所述第二存取线的所述电压处于所述第一电压时及当施加到所述第二存取线的所述电压处于所述通过电压时，所述未经编程第二存储器单元被激活且所述经编程第二存储器单元被撤销激活，且其中当施加到所述第一存取线的所述电压处于所述第一电压、所述第二电压及所述编程电压时，所述未经编程第一存储器单元被激活。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述未经编程第二存储器单元位于所述未经编程第一存储器单元的数据线侧上，且所述经编程第二存储器单元位于所述未经编程第一存储器单元的源极侧上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程电压与所述第二电压之间的电压差基本上等于所述通过电压与所述第一电压之间的电压差。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压是接地电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过如下步骤来将抑制电压施加到所述串联连接存储器单元串：

当所述第一存取线处于所述第一电压时，将第一去激活电压施加到连接到所述串联连接存储器单元串的末端的选择晶体管的控制栅极，其中所述第一去激活电压经配置以去激活所述选择晶体管；

当所述第一存取线处于所述第二电压时，将激活电压施加到所述选择晶体管的所述控制栅极，其中所述激活电压经配置以激活所述选择晶体管；以及

当所述第一存取线处于所述第二电压时，当施加到所述第一存取线的所述电压从所述第二电压增加到所述编程电压时，且当所述第一存取线处于所述编程电压时，将高于所述第一去激活电压且低于所述激活电压的第二去激活电压施加到所述选择晶体管的所述控制栅极，其中所述第二去激活电压经配置以去激活所述选择晶体管。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述串联连接存储器单元串邻近于柱，且其中将所述抑制电压施加到所述串联连接存储器单元串包括将所述抑制电压施加到所述柱。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述未经编程第一存储器单元正被抑制，且其中所述第一存取线进一步连接到正被编程的目标存储器单元。