[发明专利]利用锚固件中的MIM的DVC

权利要求书

1.一种DVC，包括：

衬底，其具有布置在其中的至少一个RF电极和至少一个锚固电极；

绝缘层，其布置在所述至少一个锚固电极上；

导电层，其布置在所述绝缘层上，其中，所述至少一个锚固电极、绝缘层和导电层形成MIM电容器；以及

至少一个MEMS桥，其布置在所述衬底之上并且锚固到所述导电层，所述至少一个MEMS桥能够从与所述RF电极间隔第一距离的位置和与所述RF电极间隔第二距离的位置移动，所述第二距离小于所述第一距离；

其中，所述DVC还包括布置在所述导电层上的欧姆接触层。

2.根据权利要求1所述的DVC，其中，所述至少一个MEMS桥锚固到所述欧姆接触层。

3.根据权利要求2所述的DVC，其中，所述绝缘层至少部分地布置在所述RF电极上。

4.根据权利要求3所述的DVC，其中，所述导电层的至少一部分布置在所述RF电极上。

5.根据权利要求4所述的DVC，其中，所述欧姆接触层包括选自W、Pt、Ir、Rh、Ru、RuO₂、ITO和Mo的材料。

6.根据权利要求1所述的DVC，其中，所述至少一个锚固电极包括两个锚固电极。

7.根据权利要求6所述的DVC，其中，每个锚固电极具有布置在其上的所述绝缘层的至少一部分。

8.根据权利要求7所述的DVC，其中，所述导电层的至少一部分布置在每个锚固电极上。

9.根据权利要求1所述的DVC，其中，所述至少一个MEMS桥包括多个MEMS桥，并且其中，每个MEMS桥锚固到所述至少一个锚固电极。

10.根据权利要求9所述的DVC，其中，每个MEMS桥锚固到不同的导电层。

11.一种制造DVC的方法，包括：

在衬底之上形成多个电极，其中，至少一个电极是锚固电极，并且至少一个电极是RF电极；

在所述多个电极之上沉积绝缘层；

移除所述绝缘层的至少一部分，以暴露所述RF电极的至少一部分；

在所述绝缘层和所暴露的RF电极之上沉积导电层；

移除所述导电层的选定的部分；

在所述导电层的一部分之上形成欧姆接触部；以及

形成与所述欧姆接触部接触的MEMS桥；其中，所述MEMS桥布置在所述衬底之上并且锚固到所述导电层，所述MEMS桥能够从与所述RF电极间隔第一距离的位置和与所述RF电极间隔第二距离的位置移动，所述第二距离小于所述第一距离。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述MEMS桥与所述RF电极间隔开。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述欧姆接触部的第一部分布置在与所述RF电极接触的所述导电层上。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述MEMS桥与所述欧姆接触部的第一部分间隔开。