[发明专利]利用锚固件中的MIM的DVC

说明书

本公开总地涉及一种MEMS DVC，其利用位于DVC的锚固件中的一个或更多个MIM电容器和位于RF电极上的欧姆接触部。所述MIM电容器与欧姆MEMS器件相结合，确保了通过所施加RF功率实现用于MEMS DVC的稳定电容。

背景技术

技术领域

本公开的实施例一般性地涉及用于RF调谐和阻抗匹配的射频(RF)数字可变电容器(DVC)单元。

背景技术

MEMS电容器在作为电容器工作时能够表现出非线性特性。当在一个频率上传输的信号可能漏入其他频率的信道中时，这对于RF应用而言是个问题。对此的一个度量是IP3的值或输入值，在该输入下三阶非线性度乘以输入电压或电流等于一阶项乘以输入电压或电流。

对于MEMS电容器，随着RF线上的功率增大，产生了在RF线和MEMS悬臂之间的氧化物上的增大的电压降。即使MEMS器件可以与氧化层机械接触，但是在该分界面处的任何粗糙部或微凸体都能够导致(RF电极和MEMS器件之间的)间隙随着施加的功率的变化而产生小的变化。该间隙变化导致最大电容随着功率变化。因此，功率的调制能够导致频率的调制，并且导致在期望的频率窗之外发现更多信号。

因此，在本领域中需要具有稳定的电容与RF输入功率的MEMS DVC。

发明内容

本公开一般性地涉及利用一个或更多个MIM电容器的MEMS DVC。MIM电容器可以被集成到MEMS器件本身并且可以被布置在MEMS器件的锚固件上。

在一个实施例中，DVC包括：具有布置在其中的至少一个RF电极和至少一个锚固电极的衬底；布置在所述至少一个锚固电极上的绝缘层；布置在所述绝缘层上的导电层，其中所述至少一个锚固电极、绝缘层和导电层形成MIM电容器；布置在所述衬底之上并且耦接到所述导电层的至少一个MEMS桥，所述至少一个MEMS桥能够从与RF电极间隔第一距离的位置和与RF电极间隔第二距离的位置移动，所述第二距离小于所述第一距离。

在另一实施例中，制造DVC的方法包括：在衬底上形成多个电极，其中至少一个电极是锚固电极，并且至少一个电极是RF电极；在所述多个电极之上沉积绝缘层；移除所述绝缘层的至少一部分以暴露所述RF电极的至少一部分；在绝缘层和所暴露的RF电极之上沉积导电层；移除导电层的选定部分；在所述导电层的一部分之上形成欧姆接触部；形成与欧姆接触部接触的MEMS桥。

附图说明

以能够详细地理解本公开的上述特征的方式，参照实施例可以获得上面简要总结的本公开的更具体的描述，在附图中示出了所述实施例中的一些。然而，应当注意，附图仅示出了本公开的典型实施例，并且因此不应被认为限制了本公开的范围，这是因为本公开可以承认其他同等有效的实施例。

图1是根据一个实施例的MEMS DVC的示意性俯视图。

图2A和2B是图1的MEMS DVC的MEMS器件的示意性俯视图和横截面图。

图3A、3B和3C是图1的MEMS DVC的MEMS器件中的单个开关元件的示意性俯视图和横截面图。

图4是将用于图1的MEMS DVC的电阻和用于固定的MIM-cap的电阻进行对比的图表。

图5A-5E是根据一个实施例的、处于各个制造阶段的MEMS DVC的示意图。

为了便于理解，在可能的地方使用相同的附图标记来表示附图共有的相同的元素。可以预期的是，在一个实施例中公开的元素在没有特别说明的情况下可以有益地用于其他实施例。

具体实施方式

本公开一般性地涉及利用一个或更多个MIM电容器的MEMS DVC。MIM电容器可以被布置在MEMS器件的锚固件上。