[发明专利]基于紧凑ReRAM的FPGA

权利要求书

1.一种推挽电阻随机存取存储器单元电路，包括：

输出节点；

字线；

第一位线；

第二位线；

第一电阻随机存取存储器设备，其连接在所述第一位线与所述输出节点之间；

第二电阻随机存取存储器设备，其连接在所述输出节点与所述第二位线之间；

第一编程晶体管，其具有连接至所述字线的栅极、连接至所述输出节点的漏极、以及源极；以及

第二编程晶体管，其具有连接至所述字线的栅极、连接至所述第一编程晶体管的所述源极的漏极、以及连接至字线WLS的源极，

其中所述第一和第二编程晶体管具有相同的间距、相同的沟道长度、以及相同的栅极电介质厚度，所述第一和第二编程晶体管的所述栅极电介质厚度被选择成耐受在所述推挽电阻随机存取存储器单元电路的操作期间遭遇的编程和擦除电势。

2.如权利要求1所述的推挽电阻随机存取存储器单元电路，其特征在于：

所述推挽电阻随机存取存储器单元电路被制造在具有输入/输出晶体管的集成电路上；以及

所述第一和第二编程晶体管的所述栅极电介质的厚度与所述输入/输出晶体管的所述栅极电介质的厚度相同。

3.如权利要求2所述的推挽电阻随机存取存储器单元电路，其特征在于，进一步包括：

至少一个开关晶体管，其具有连接至所述输出节点的栅极、连接至第一逻辑网络节点的漏极、以及连接至第二逻辑网络节点的源极；以及

其中所述开关晶体管具有与所述第一和第二编程晶体管相同的间距、沟道长度和栅极电介质厚度。

4.如权利要求1所述的推挽电阻随机存取存储器单元电路，其特征在于：

所述推挽电阻随机存取存储器单元电路被制造在具有逻辑晶体管的集成电路上；以及

所述第一和第二编程晶体管的所述栅极电介质的厚度大于所述逻辑晶体管的所述栅极电介质的厚度。

5.如权利要求4所述的推挽电阻随机存取存储器单元电路，其特征在于，进一步包括：

至少一个开关晶体管，其具有连接至所述输出节点的栅极、连接至第一逻辑网络节点的漏极、以及连接至第二逻辑网络节点的源极；以及

其中所述开关晶体管具有与所述第一和第二编程晶体管相同的间距、沟道长度和栅极电介质厚度。