[发明专利]真空绝缘板有效
申请号: | 201680015241.0 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN107405858B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | D·马克;A·帕吉特;M·罗什福尔 | 申请(专利权)人: | 金斯潘控股有限公司 |
主分类号: | B32B1/00 | 分类号: | B32B1/00;B32B7/00;F16L59/02;F16L59/065;F25D23/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王丽军 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 绝缘 | ||
1.一种真空绝缘板,包括:
多孔的绝缘芯部,其具有上表面和下表面以及侧面;
至少一个增强构件,其布置在所述绝缘芯部的上或下表面上以增强所述芯部,其中,所述增强构件由多孔材料形成并且大致是刚性的;
其中,所述至少一个增强构件和所述绝缘芯部一起形成混合芯部,并且所述增强构件不形成横过所述绝缘芯部的热桥;以及
封壳,其布置成封装所述混合芯部并且维持所述封壳内施加的真空;
其中,所述绝缘芯部由多微孔的绝缘材料构成,所述多微孔的绝缘材料由粉末材料形成;
其中,所述真空绝缘板内的绝缘芯部的密度是从100kg/m3至160kg/m3;并且
其中,所述真空绝缘板的导热系数在从3.0mW/m.K至4.0mW/m.K的范围内。
2.根据权利要求1所述的真空绝缘板,其具有布置在所述绝缘芯部的上表面上的上增强构件,并且具有布置在所述绝缘芯部的下表面上的下增强构件。
3.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其具有多个增强构件。
4.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述增强构件中的至少一者具有在95kPa和150kPa之间的抗压强度。
5.根据权利要求2所述的真空绝缘板,其中,所述上增强构件和所述下增强构件各自具有约100kPa的抗压强度。
6.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述混合芯部具有在95kPa和150kPa之间的抗压强度。
7.根据权利要求6所述的真空绝缘板,其中,所述混合芯部具有在100kPa和120kPa之间的抗压强度。
8.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述至少一个增强构件具有大致光滑的外表面。
9.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述至少一个增强构件的密度低于所述绝缘芯部的密度。
10.根据权利要求2所述的真空绝缘板,其中,所述上增强构件和所述下增强构件各自具有比所述绝缘芯部的密度低的密度。
11.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,至少一个增强构件由聚氨酯形成。
12.根据权利要求2所述的真空绝缘板,其中,所述上增强构件和下增强构件分别由聚氨酯形成。
13.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述绝缘芯部是多微孔性的并且由粉末材料构成,所述粉末材料包括从由气相二氧化硅、沉淀二氧化硅或珍珠岩、或其组合组成的组中选择的粉末。
14.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述绝缘芯部包含气相二氧化硅。
15.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述绝缘芯部是多微孔性的并且具有从50nm至350nm的平均微孔尺寸。
16.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述绝缘芯部由包括气相二氧化硅的材料构成,并且其中,所述真空绝缘板内的所述绝缘芯部的密度是从100kg/m3至160kg/m3。
17.根据权利要求1或2所述的真空绝缘板,其中,所述绝缘芯部由包括气相二氧化硅的材料构成,并且其中,所述真空绝缘板内的所述绝缘芯部的密度是从130kg/m3至160kg/m3。
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