[发明专利]导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件

权利要求书

1.一种导电结构体，包括：

包含铪氧化物的第一铪氧化物层；

设置在所述第一铪氧化物层上的金属层；以及

设置在所述金属层上的包含铪氧化物的第二铪氧化物层，

其中，所述导电结构体满足下面的数学式1：

[数学式1]

[数学式2]

[数学式3]

[数学式4]

[数学式5]

[数学式6]

其中，在数学式1中，D_eff是通过数学式2和数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率的分散度，k_{eff_dielectric}是通过数学式4求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数，d是所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的总厚度，k_{eff_metal}是通过数学式5求得的所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数；

在数学式2中，n_{eff_550}是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为550nm的光中的平均折射率，n_{eff_450}是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为450nm的光中的平均折射率，n_{eff_380}是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为380nm的光中的平均折射率；

在数学式3和数学式4中，n₁是所述第一铪氧化物层的折射率，n₂是所述第二铪氧化物层的折射率，k₁是所述第一铪氧化物层的消光系数，k₂是所述第二铪氧化物层的消光系数，f₁是所述第一铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例，f₂是所述第二铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例；

在数学式5和数学式6中，n₃是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率n_{eff_dielectric}，n₄是所述金属层的折射率，k₃是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数k_{eff_dielectric}，k₄是所述金属层的消光系数，f₃是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层相对于所述导电结构体的厚度比例，f₄是所述金属层相对于所述导电结构体的厚度比例；

所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数k_{eff_dielectric}和所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数k_{eff_metal}分别是在波长为380nm的光中测得的值。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率的分散度D_eff为1.1以上。

3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数k_{eff_dielectric}为0.1以下。

4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数k_{eff_metal}为0.22以下。

5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的总厚度大于或等于40nm且小于或等于120nm。

6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层分别还包含选自Nb、Zr、Y、Ta、La、V、Ti、Zn、B、Si、Al、In和Sn的掺杂物。