[发明专利]导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件

说明书

本发明提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。所述导电结构体包括第一铪氧化物层、金属层、第二铪氧化物层并且满足数学式1：[数学式1]

技术领域

本申请要求于2015年3月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0036104的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用全部并入本说明书中。

本说明书涉及一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。

背景技术

随着新的可再生能源工业以及前沿信息技术工业的越来越快速发展，对具有导电性和透光性两者的导电结构体体的兴趣增加。有机电子器件中的导电结构体是薄透明基板，需要具有优异的导电性同时透射光。

作为导电结构体的材料，制造为薄膜形式的透明导电氧化物(TCO)是最常见的。透明导电氧化物是统称在可见光区域中具有高光学透过率(85％以上)和低电阻率(1×10^-3Ωm)两者的氧化物类简并半导体电极的术语，并且根据薄层电阻的大小，已经用作如抗静电膜、电磁波屏蔽膜等的功能性薄膜，以及平板显示器、太阳能电池、触摸屏、透明晶体管、柔性光电器件、透明光电器件等的芯电极材料。

然而，使用透明导电氧化物作为材料制造的导电结构体具有低导电性，从而具有使器件的效率降低的问题。

发明内容

技术问题

本说明书旨在提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。

技术方案

本说明书的一个实施方案提供一种导电结构体，包括：包含铪氧化物的第一铪氧化物层；设置在所述第一铪氧化物层上的金属层；以及设置在所述金属层上的包含铪氧化物的第二铪氧化物层，其中，所述导电结构体满足下面的数学式1。

[数学式1]

[数学式2]

[数学式3]

[数学式4]

[数学式5]

[数学式6]

在数学式1中，D_eff是通过数学式2和数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率的分散度，k_{eff_dielectric}是通过数学式4求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数，d是所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的总厚度，k_{eff_metal}是通过数学式5求得的所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数，

在数学式2中，n_{eff_550}是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为550nm的光中的平均折射率，n_{eff_450}是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为450nm的光中的平均折射率，n_{eff_380}是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为380nm的光中的平均折射率，