[发明专利]薄膜晶体管基底和包括其的显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基底，包括：

基底；

设置在所述基底上彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与所述栅极线连接的栅电极、设置在所述栅电极上以绝缘于所述栅电极的半导体层、与所述数据线电连接的源电极、和漏电极；以及

光反射减少层，所述光反射减少层设置在所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述栅极线和所述数据线的面向所述基底的平面以及与所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述栅极线和所述数据线的面向所述基底的所述平面相反的平面上，

其中所述光反射减少层的厚度在10nm至100nm的范围中；

其中对于波长为550nm的光，所述光反射减少层的折射率n在2至3的范围中；

其中对于所述光反射减少层，下面给出的式1的值落入0.004至0.078的范围，

[式1]

在式1中，k表示所述光反射减少层的消光系数，t表示所述光反射减少层的厚度，并且λ表示光的波长，

其中对于波长为550nm的光，所述光反射减少层的消光系数k在0.4至2的范围中，

其中所述光反射减少层包含MoTi氮氧化物。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中具有所述光反射减少层的电极的光反射率为50％或更小。

3.一种显示装置，包括根据权利要求1至2中任一项所述的薄膜晶体管基底。