[发明专利]薄膜晶体管基底和包括其的显示装置

说明书

公开了薄膜晶体管基底和包括其的显示装置。薄膜晶体管基底包括：栅电极；源电极；漏电极；和设置在面向栅极线和数据线基底的表面以及与其相反的表面上的光反射减少层，其中光反射减少层满足以下[式1]:(k×t)/λ的0.004至0.22的值(其中k意指光反射减少层的消光系数；t意指光反射减少层的厚度；并且λ意指光的波长)。

技术领域

本申请要求于2015年5月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0064822号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

本说明书涉及薄膜晶体管基底和包括其的显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)(其为通过将半导体、绝缘体、金属薄膜等依次沉积在基底上而形成的晶体管)通过利用TFT可以形成在大面积基底上的优点而在包括周边元件(包括液晶显示器、激光打印机头等)和图像传感器(包括扫描仪等)的各个领域中均得到开发和商业化。

其中，显示元件需要实现高对比度、高分辨率、色彩显示能力、高速响应性、光学视角等，并且无源矩阵型装置难以提高所有的特性，并且具有信号串扰的问题，但是将作为开关元件的TFT添加至每个像素，由此整体上提高了显示性能。

然而，由于TFT和与其连接的配线电极具有金属特有的高光反射率，所以在显示元件中存在发生眩光现象的问题。

发明内容

技术问题

本说明书提供了薄膜晶体管基底和包括其的显示装置，所述薄膜晶体管基底可应用于能够防止配线电极的眩光现象的显示装置。

技术方案

本说明书的一个实施方案提供了薄膜晶体管基底，包括：

基底；

设置在所述基底上彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；

薄膜晶体管，包括与栅极线连接的栅电极、设置在栅电极上以绝缘于所述栅电极的半导体层、与数据线电连接的源电极、和漏电极；以及

光反射减少层，其设置在栅电极、源电极、漏电极、栅极线和数据线的面向基底的平面以及与栅电极、源电极、漏电极、栅极线和数据线的面向基底的平面相反的平面上，

其中对于光反射减少层，下面给出的式1的值满足0.004或更大且0.22或更小。

[式1]

在式1中，k表示光反射减少层的消光系数，t表示光反射减少层的厚度，λ表示光的波长。

本说明书的一个实施方案提供了包括薄膜晶体管基底的显示装置。有利效果

根据本说明书的一个实施方案的薄膜晶体管基底控制由形成在基底上的配线电极而带来的光反射率以实现高图像质量显示。

此外，可将根据本说明书的实施方案的薄膜晶体管基底应用至底部发光结构显示装置和顶部发光结构显示装置两者。

附图说明

图1示出了根据本说明书的一个实施方案的薄膜晶体管基底的平面图的一个区域。

图2示出了根据本说明书的实施方案的薄膜晶体管基底的截面。

图3是示出取决于根据实施例1的光反射减少层的波长的n和k值的图。

图4是示出取决于根据比较例1的MoTi层的波长的n和k值的图。

图5示出了实施例1的反射率和比较例1的反射率的比较。

图6示出了实施例13的反射率。

图7示出了实施例14的反射率。