[发明专利]用于确定抗蚀剂变形的方法有效
申请号: | 201680016535.5 | 申请日: | 2016-02-24 |
公开(公告)号: | CN107430351B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 刘鹏 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 抗蚀剂 变形 方法 | ||
1.一种计算机实施的方法,包括:
假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在变形的情况下,获得抗蚀剂层在第一方向上的变形的至少一个特性;
假设在所述第一方向上不存在变形的情况下,获得所述抗蚀剂层在第二方向上的变形的至少一个特性,所述第二方向不同于所述第一方向;
基于在所述第一方向上的所述变形的所述特性以及在所述第二方向上的所述变形的所述特性获得所述抗蚀剂层的三维变形的至少一个特性。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括假设在所述第一方向上不存在变形的情况下,获得在第三方向上的变形的至少一个特性。
3.根据权利要求1所述的方法,其中三维变形的所述特性是边缘定位误差的改变。
4.根据权利要求1所述的方法,其中在所述第一方向上的变形的所述特性是所述抗蚀剂层中的部位在所述第一方向上的位移,和/或其中所述第二方向上的变形的所述特性是所述抗蚀剂层中的部位在所述第二方向上的位移。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述抗蚀剂层在衬底上,且所述抗蚀剂层的与所述衬底直接接触的一部分在所述第一方向上的位移为零,或其中所述抗蚀剂层的与所述衬底直接接触的所述部分在所述第二方向上的位移为零。
6.根据权利要求1所述的方法,其中获得所述抗蚀剂层在所述第一方向上的变形的至少一个特性包括在所述第一方向上的距离之上整合工程应变。
7.根据权利要求1所述的方法,其中获得所述抗蚀剂层在所述第二方向上的变形的至少一个特性包括平衡在所述第二方向上的剪切应力与法向应力。
8.根据权利要求1所述的方法,其中利用负性显影剂使所述抗蚀剂层显影。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括基于三维变形的所述特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述抗蚀剂层将在所述器件制造过程或使用所述器件制造设备期间经历一个或更多个物理或化学处理。
11.根据权利要求1所述的方法,还包括基于三维变形的所述特性确定设计布局的多个图案的重叠过程窗口(OPW)。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括基于所述OPW来确定或预测从所述多个图案所产生的缺陷的存在、存在机率、一个或更多个特性,或它们的组合。
13.一种改进用于使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像至衬底上的光刻过程的计算机实施的方法,所述方法包括:
计算多变量成本函数,所述多变量成本函数是所述衬底上的抗蚀剂层的变形的至少一个特性和为所述光刻过程的特性的多个设计变量二者的函数;
通过调整所述设计变量中的一个或更多个直至满足某一终止条件为止来重新配置所述光刻过程的所述特性中的一个或更多个。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述抗蚀剂层的变形的所述特性是在所述抗蚀剂层中的部位处的应变,和/或其中所述抗蚀剂层的变形的所述特性是所述抗蚀剂层中的部位的位移。
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