[发明专利]用于确定抗蚀剂变形的方法

说明书

本发明公开了一种计算机实施的方法，该方法包括：假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在变形的情况下，获得抗蚀剂层(1050)在第一方向上的变形的至少一个特性；假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得所述抗蚀剂层在第二方向上的变形的至少一个特性，所述第二方向垂直、不同于所述第一方向；基于在所述第一方向上的所述变形的所述特性和在所述第二方向上的所述变形的所述特性获得所述抗蚀剂层的三维变形的至少一个特性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年3月16日递交的美国申请62/133,782的优先权，并且其通过引用全文并入本发明中。

技术领域

本发明涉及光刻设备和过程，且尤其涉及用于确定抗蚀剂层的变形的方法，其中变形由光刻设备或过程所导致。

背景技术

可以将光刻投影设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，图案形成装置(例如掩模)可以包括或提供对应于IC的单个层的电路图案(“设计布局”)，并且这一电路图案可以通过例如穿过图案形成装置上的电路图案辐射目标部分的方法，被转移到已经涂覆有辐射敏感材料 (“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)上。通常，单个衬底包括被光刻投影设备连续地、一次一个目标部分地将电路图案转移到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的电路图案被一次转移到一个目标部分上，这样的设备通常称作为晶片步进机。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置上的电路图案的不同部分被逐渐地转移到一个目标部分上。因为通常光刻投影设备将具有放大系数M(通常＜1)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的M倍。关于在此处描述的光刻装置的更多的信息可以例如参见美国专利No.6,046,792，通过参考将其并入本发明中。

光刻投影设备可以是具有两个或更多个衬底台(和/或两个或更多个图案形成装置台)的类型。在这种“多台”装置中，可并行地使用附加的台，或可在一个或更多个台上执行预备步骤，同时将一个或更多个其他台用于曝光。例如，在以引用方式并入本发明中的US5,969,441中描述双平台光刻投影设备。

在将电路图案从图案形成装置转移至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序，例如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转移的电路图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程，诸如刻蚀、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光、量测(例如，SEM)等，所有的这些工序都是用于最终完成器件的单个层。如果器件需要多个层，则针对每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将设置在衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或切割等技术，将这些器件互相分开，据此独立的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。

如注意到的，微光刻术是集成电路的制造中的核心步骤，其中在衬底上形成的图案限定了IC的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)以及其它器件。

随着半导体制造过程不断进步，数十年来，功能元件的尺寸被不断地降低，同时每一器件的功能元件(诸如晶体管)的数量一直遵循通常称为“摩尔定律”的趋势而稳步地增长。在当前技术情形下，通过使用光刻投影设备来制造器件的层，所述光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而产生具有远低于100nm的尺寸的独立的功能元件，即所述功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm照射源) 的辐射的波长的一半。