[发明专利]压印用固化性组合物、固化物、图案形成方法、光刻法、图案及光刻用掩模有效
申请号: | 201680016592.3 | 申请日: | 2016-03-14 |
公开(公告)号: | CN107408495B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 后藤雄一郎;丸茂和博;北川浩隆;大松祯 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;C08F2/48;C08F2/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压印 固化 组合 图案 形成 方法 光刻 用掩模 | ||
1.一种压印用固化性组合物,其含有:
单官能聚合性化合物;
多官能聚合性化合物,包含脂环结构和芳香环结构中的至少一者,且25℃下的粘度为150mPa·s以下;及
光聚合引发剂,
所述压印用固化性组合物中,
相对于压印用固化性组合物中的所有聚合性化合物,含有超过5质量%且小于30质量%的所述单官能聚合性化合物,
所述单官能聚合性化合物具有碳原子数4以上的直链或支链的烃链,
所述压印用固化性组合物的25℃下的粘度为12mPa·s以下,
所述压印用固化性组合物的固化膜的弹性模量为3.5GPa以下且玻璃化转变温度为90℃以上,
其中,弹性模量是指,针对厚度20μm的压印用固化性组合物的固化膜,利用显微硬度计测定而得的值,此时的压头为棱间角115°的三棱锥形,试验力为10mN,负载速度为0.142mN/秒,保持时间为5秒,测定时的温度为25℃,湿度为50%。
2.根据权利要求1所述的压印用固化性组合物,其中,
所述烃链为直链或支链的烷基。
3.根据权利要求2所述的压印用固化性组合物,其中,
所述烃链为直链烷基。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的压印用固化性组合物,其中,
所述单官能聚合性化合物的聚合性基团以及包含所述脂环结构和芳香环结构中的至少一者的多官能聚合性化合物的聚合性基团为(甲基)丙烯酰氧基。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的压印用固化性组合物,其中,
包含所述脂环结构和芳香环结构中的至少一者的多官能聚合性化合物为双官能聚合性化合物。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的压印用固化性组合物,其中,
至少1种包含所述脂环结构和芳香环结构中的至少一者的多官能聚合性化合物由下述通式(1)所表示,
通式(1)
通式(1)中,Q表示具有脂环结构或芳香环结构的2价基团。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的压印用固化性组合物,其中,
包含所述脂环结构和芳香环结构中的至少一者的多官能聚合性化合物的25℃下的粘度为50mPa·s以下。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的压印用固化性组合物,其中,
相对于压印用固化性组合物中的所有聚合性化合物,含有10质量%~25质量%的所述单官能聚合性化合物。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的压印用固化性组合物,其中,
相对于压印用固化性组合物中的所有聚合性化合物,含有45质量%~90质量%的包含所述脂环结构和芳香环结构中的至少一者的多官能聚合性化合物。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的压印用固化性组合物,其中,
所述弹性模量为3.1GPa以下。
11.一种压印用固化性组合物,其含有:
单官能聚合性化合物,具有碳原子数8以上的直链或支链的烷基,且25℃下的粘度为10mPa·s以下;
双官能聚合性化合物,具有脂环结构和芳香环结构中的至少一者,且25℃下的粘度为50mPa·s以下;及
光聚合引发剂,
所述压印用固化性组合物中,
相对于压印用固化性组合物中的所有聚合性化合物,含有10质量%~25质量%的所述单官能聚合性化合物,且含有45质量%~90质量%的所述双官能聚合性化合物,
所述压印用固化性组合物的25℃下的粘度为12mPa·s以下。
12.根据权利要求1至3及11中任一项所述的压印用固化性组合物,
所述压印用固化性组合物的大西参数为4.0以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680016592.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:缺陷平面化
- 下一篇:衬底稳定化方法及实施这种方法的机器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造