[发明专利]封装体的制造方法在审

专利信息
申请号: 201680016779.3 申请日: 2016-03-18
公开(公告)号: CN107409447A 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 大桥贤 申请(专利权)人: 味之素株式会社
主分类号: H05B33/04 分类号: H05B33/04;H01L51/50;H05B33/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 卢曼,鲁炜
地址: 日本东京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 封装 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及用树脂组合物层封装基板上的有机EL(电致发光)元件的封装体(尤其是有机EL器件)的制造方法。另外,本发明涉及将基板上的有机EL元件封装的方法。

背景技术

有机EL元件是在发光材料中使用了有机物质的发光元件,能以低电压得到高亮度的发光,因而近年来受到关注。然而,有机EL元件对于水分的耐性非常弱,存在下述问题:在水分的作用下,亮度下降,变得不再发光,电极与发光层的界面剥离,金属发生氧化而成为高电阻。因此,为了将元件内部与外界气体中的水分隔断,例如,已进行了以将基板上形成的发光层的整面覆盖的方式形成树脂组合物层从而将有机EL元件封装的方案(例如,专利文献1~3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2010/084938号

专利文献2:国际公开第2010/084939号

专利文献3:国际公开第2011/016408号。

发明内容

发明所要解决的课题

在支撑体上形成树脂组合物层、用于封装有机EL元件的片材(以下,有时简称为“封装用片材”。)中存在的微量水分有时也对有机EL元件造成不良影响。因此,优选在干燥的状态下对封装用片材进行运输、保存。然而,即使在这种情况下,也难以完全防止水分的侵入,微量水分的侵入仍然成为问题。

虽然考虑在将有机EL元件封装之前,将封装用片材干燥,但若为了进行干燥而在过高的温度下对封装用片材进行加热,则封装用片材(尤其是其树脂组合物层)发生变性(例如固化),因而不理想。另一方面,低温下的真空干燥存在干燥耗费时间这样的问题。

另外,用于封装之前的封装用片材的树脂组合物层通常被覆盖膜(cover film,保护膜)保护。认为封装用片材中,水分主要包含在树脂组合物层中,对于封装用片材的树脂组合物层的干燥而言,在将覆盖膜剥离后进行干燥是有效的。然而,若在将覆盖膜剥离后进行干燥,则可能在干燥期间在树脂组合物层表面上附着灰尘等,对有机EL元件造成不良影响。

本发明是鉴于上述这样的情况而完成的,其目的在于提供一种有机EL元件的封装体的制造方法,所述方法包括下述工序:以不剥离封装用片材的覆盖膜的方式,有效地干燥封装用片材,所述封装用片材是依序层叠支撑体、树脂组合物层和覆盖膜而成。

用于解决课题的手段

本发明人进行了深入研究,结果发现:在用封装用片材将有机EL元件封装来制造封装体时,封装用片材中包含的微量水分可能对有机EL元件造成不良影响;通过将封装用片材中包含的水分减少至一定值以下,能显著改善有机EL元件的寿命;通过在封装工序之前,导入利用近红外线或中红外线干燥机进行的干燥工序,从而即使不剥离覆盖膜,也能有效地干燥封装用片材而除去水分。基于上述见解的本发明如下所述。

[1] 封装体的制造方法,其是用树脂组合物层封装基板上的有机EL元件的封装体的制造方法,所述方法包括:

工序(1),以不剥离覆盖膜的方式用近红外线或中红外线干燥机对依序层叠支撑体、树脂组合物层及覆盖膜而成的封装用片材进行干燥,和

工序(2),从经干燥的封装用片材剥离覆盖膜后,用封装用片材的树脂组合物层封装有机EL元件;

[2]根据前述[1]所述的制造方法,其中,工序(2)与工序(1)在同一生产线内进行;

[3]根据前述[1]或[2]所述的制造方法,其中,在工序(1)之后接着进行工序(2)。

[4]根据前述[1]~[3]中任一项所述的制造方法,其中,从工序(1)的干燥后起至工序(2)的封装开始为止的时间为1~60分钟;

[5]根据前述[1]~[3]中任一项所述的制造方法,其中,从工序(1)的干燥后起至工序(2)的封装开始为止的时间为1~30分钟;

[6]根据前述[1]~[3]中任一项所述的制造方法,其中,从工序(1)的干燥后起至工序(2)的封装开始为止的时间为1~15分钟;

[7]根据前述[1]~[3]中任一项所述的制造方法,其中,从工序(1)的干燥后起至工序(2)的封装开始为止的时间为1~10分钟。

[8]根据前述[1]~[7]中任一项所述的制造方法,其中,从近红外线或中红外线干燥机照射的近红外线或中红外线的峰值波长在1.0~4.0μm的范围内;

[9]根据前述[1]~[7]中任一项所述的制造方法,其中,从近红外线或中红外线干燥机照射的近红外线或中红外线的峰值波长在1.0~3.5μm的范围内;

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