[发明专利]选择性模拟和射频性能修改

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

电路块，包括具有增强的第一性能特性的至少一个第一晶体管，所述增强的第一性能特性不同于所述电路块的至少一个第二晶体管的第二性能特性；以及

标记层，用以标识所述至少一个第一晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第一增强的性能特性包括掺杂分布和/或栅极氧化物厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述掺杂分布包括轻掺杂漏极(LDD)注入、晕环注入、或阱注入。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述半导体芯片的包括所述第一晶体管的仅所选择的组件的性能被提升，由此改进所述半导体芯片的整体性能。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述半导体芯片被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。

6.一种用于集成电路(IC)芯片的性能增强的方法，包括：

根据预定的性能准则选择所述IC芯片的至少一个电路块；

标记所选择的电路块内的至少一个第一晶体管，所述第一晶体管根据所述预定的性能准则被标识；以及

调整所述至少一个第一晶体管的性能。

7.根据权利要求6所述的方法，其中调整性能包括利用第一掺杂注入分布对所述第一晶体管进行掺杂，所述第一掺杂注入分布不同于所述至少一个电路块内的至少一个第二晶体管的第二掺杂注入分布。

8.根据权利要求6所述的方法，其中调整性能包括减小所述至少一个电路块内的所述至少一个第一晶体管的栅极氧化物厚度。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述IC芯片包括模拟IC或射频(RF)IC。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述选择包括标识关键性路径内的电路块。

11.根据权利要求6所述的方法，进一步包括提升所选择的电路块的包括所述第一晶体管的仅所选择的组件的性能，由此改进所述IC芯片的整体性能。

12.根据权利要求6所述的方法，其中所述IC芯片被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。

13.一种半导体芯片，包括：

电路块，包括具有增强的第一性能特性的至少一个第一晶体管，所述增强的第一性能特性不同于所述电路块的至少一个第二晶体管的第二性能特性；以及

用于分离所述至少一个第一晶体管与所述至少一个第二晶体管的部件。

14.根据权利要求13所述的半导体芯片，其中所述第一增强的性能特性包括掺杂分布和/或栅极氧化物厚度。

15.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中所述掺杂分布包括轻掺杂漏极(LDD)注入、晕环注入、或阱注入。

16.根据权利要求13所述的半导体芯片，其中所述半导体芯片的包括所述第一晶体管的仅所选择的组件的性能被提升，由此改进所述半导体芯片的整体性能。

17.根据权利要求13所述的半导体芯片，其中所述半导体芯片被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。

18.一种用于集成电路(IC)芯片的性能增强的方法，包括：

用于根据预定的性能准则选择所述IC芯片的至少一个电路块的步骤；

用于标记所选择的电路块内的至少一个第一晶体管的步骤，所述第一晶体管根据所述预定的性能准则被标识；以及

用于调整所述至少一个第一晶体管的性能的步骤。

19.根据权利要求18所述的方法，其中用于调整性能的所述步骤包括用于利用第一掺杂注入分布对所述第一晶体管进行掺杂的步骤，所述第一掺杂注入分布不同于所述至少一个电路块内的至少一个第二晶体管的第二掺杂注入分布。