[发明专利]选择性模拟和射频性能修改

说明书

技术领域

本公开的各方面涉及半导体器件，并且更特别地涉及晶体管的选择性增强或修改。

背景技术

用于集成电路(IC)的半导体制造的工艺流程可以包括线前端(FEOL)工艺、线中段(MOL)工艺和线后端(BEOL)工艺。线前端工艺可以包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、间隔物、扩展和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力衬里形成。线中段工艺可以包括栅极接触件形成。线中段层可以包括但不限于线中段接触件、过孔或紧邻半导体器件晶体管或其他类似有源器件的其他层。线后端工艺可以包括一系列晶片处理步骤，用于将线前端工艺和线中段工艺期间创建的半导体器件互连。现代半导体芯片产品的成功制造牵涉到所采用的材料与工艺之间的相互作用。

移动RF(射频)芯片(例如，收发器)设计可以使用中介物(interposer)来制造。中介物是一种裸片安装技术，其中中介物用作在其上安装移动RF芯片的基底。中介物是扇出晶片级别封装结构的示例。中介物可以包括用于在移动RF芯片(例如，收发器)与系统板之间路由电连接的导电迹线和导电过孔的布线层。中介物可以包括重分布层(RDL)，其将移动RF收发器的有源表面上的接合焊盘的连接图案提供给更适合于连接至系统板的重分布的连接图案。

模拟和射频集成电路芯片(包括作为收发器的移动RF芯片)的设计因成本和功耗考虑已经转移到亚微米工艺节点。不幸地是，来自制造厂默认器件选项的减小的供电电压和相对较高的阈值电压(V_th)可能导致减小的余量并显著影响芯片的性能。增加的电路功能和设计复杂度(例如，载波聚合支持)、以及其他器件模拟/RF性能考虑(例如，失配、噪声等)可能提出进一步的设计挑战。归因于模型和仿真工具限制或设计之后的芯片规范中的变化，或在性能不满足规范的情况下，可能希望重新设计芯片。不幸地是，芯片重新设计是非常昂贵的。此外，重新设计芯片可能极大地影响生产周期，在一些情况下将生产周期延长几个月。

发明内容

一种半导体芯片包括电路块。电路块包括具有增强的第一性能特性的(多个)第一晶体管，增强的第一性能特性不同于电路块的(多个)第二晶体管的第二性能特性。电路块还包括标记层以标识(多个)第一晶体管。

一种用于集成电路(IC)芯片的性能增强的方法包括根据预定的性能准则选择IC芯片的(多个)电路块。该方法还包括标记所选择的(多个)电路块内的至少一个第一晶体管。第一晶体管可以根据预定的性能准则被标识。该方法进一步包括调整该至少一个第一晶体管的性能。

一种半导体芯片包括电路块。电路块包括具有增强的第一性能特性的(多个)第一晶体管，增强的第一性能特性不同于电路块的(多个)第二晶体管的第二性能特性。半导体芯片还包括用于分离(多个)第一晶体管与(多个)第二晶体管的部件。

这已经相当宽泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便随后的详细描述可以更好地被理解。本公开的另外的特征和优点将在下文被描述。本领域的技术人员应当明白，本公开可以容易地用作修改或设计用于执行本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域的技术人员还应当认识到，这样的等价构造没有偏离所附权利要求中阐述的本公开的教导。新颖特征(它们被相信是本公开关于它的组织和操作方法两者而言的特性)与进一步的目标和优点一起，在关于附图被考虑时，将从以下描述更好地被理解。然而，将明确地理解，附图中的每个附图被提供仅用于说明和描述的目的并且不意图作为本公开的界限的限定。

附图说明

为了更完整地理解本公开，现在对结合附图所采取的以下描述作出参考。

图1图示了本公开的一个方面的半导体晶片的透视图。

图2图示了根据本公开的一个方面的裸片的截面视图。

图3图示了本公开的一个方面的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的截面视图。

图4图示了根据本公开的一个方面的集成电路芯片的顶视图。

图5是图示了根据本公开的一个方面的用于制造半导体器件的方法的过程流程图。

图6是示出了本公开的配置可以在其中有利地被采用的示例性无线通信系统的框图。

图7是图示了被用于根据一种配置的半导体组件的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。

具体实施方式