[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
申请号: | 201680018542.9 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN107431108B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 李尚烈;金会准;丁星好 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 达小丽;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 封装 | ||
1.一种发光器件,包括:
基板;
发光结构,所述发光结构置放在所述基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;
第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别地连接到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层;
第一结合焊盘和第二结合焊盘,所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘分别地连接到所述第一电极和所述第二电极;以及
绝缘层,所述绝缘层置放在所述第一结合焊盘和所述第二电极之间以及在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间,
其中,所述第一电极具有第一厚度,所述第一厚度是置放在所述第二结合焊盘和所述第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小,
其中,所述第一电极包括:
分支电极,所述分支电极置放在所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘下面;以及
接触电极,所述接触电极置放在所述第一结合焊盘下面,以及
其中,所述第一厚度是所述分支电极的厚度,
其中,所述分支电极包括:
第一段,所述第一段置放在所述第二结合焊盘下面;以及
第二段,所述第二段置放在所述第一结合焊盘下面,以及
其中,所述第一厚度是所述第一段的厚度,
其中,所述分支电极的第一段的一部分被掩埋在所述第一导电半导体层中,
其中,所述第一电极的第一厚度是未被掩埋在所述第一导电半导体层中而是被暴露的第一电极的一部分的厚度,以及
其中,所述第一电极的上表面的宽度小于所述第一电极的下表面的宽度,使得所述第一电极的侧表面具有斜率。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,在第一方向中,所述基板具有第一长度并且所述分支电极具有第二长度,以及所述第一长度和所述第二长度具有以下关系;
L1×0.7>L2
这里,L1指示所述第一长度并且L2指示所述第二长度,以及
其中,所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘在与所述发光结构的厚度方向正交的第一方向中相互隔开。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一厚度是1μm或者更小,并且所述第二厚度是3.3μm或者更小。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电极包括面对所述绝缘层并且被置放在所述第二结合焊盘下面的第一上表面,以及
其中,所述第一电极的第一上表面在其中具有至少一个第一凹部,所述第一凹部被所述绝缘层填充。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电极包括在与所述发光结构的厚度方向正交的方向中相互隔开的多个子电极。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述分支电极进一步包括置放在所述第一段和所述第二段之间的第三段。
7.根据权利要求4所述的发光器件,其中,在所述发光结构的厚度方向中与所述第一电极的第一上表面和所述第二结合焊盘重叠的绝缘层包括面对所述第二结合焊盘的第二上表面,以及
其中,所述绝缘层的第二上表面在其中具有至少一个第二凹部。
8.根据权利要求4所述的发光器件,其中,与当所述第一电极在其中不具有第一凹部时相比,当所述第一电极在其中具有所述第一凹部时,所述第一电极的第一厚度更大。
9.根据权利要求5所述的发光器件,其中,与当所述第一电极不包括子电极时相比,当所述第一电极包括所述子电极时,所述第一电极的第一厚度更大。
10.根据权利要求5所述的发光器件,其中,所述绝缘层被掩埋在所述子电极之间。
11.根据权利要求5所述的发光器件,其中,所述子电极具有不同的厚度。
12.根据权利要求5所述的发光器件,其中,所述子电极具有相同的厚度。
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