[发明专利]发光器件和发光器件封装有效

专利信息
申请号: 201680018542.9 申请日: 2016-03-16
公开(公告)号: CN107431108B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 李尚烈;金会准;丁星好 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 达小丽;夏凯
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 封装
【说明书】:

在实施例中,一种发光器件包括:基板;置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构;分别地连接到第一和第二导电半导体层的第一和第二电极;分别地连接到第一和第二电极的第一和第二结合焊盘;以及置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层。第一电极的第一厚度可以是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。

技术领域

实施例涉及一种发光器件和一种发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是一种类型的半导体器件,它使用化合物半导体的特性将电力转换成红外线或者光,从而发送或者接收信号或者被用作光源。

由于其物理和化学性质,作为诸如、例如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的核心材料,III-V族氮化物半导体受到瞩目。

因为它们不包括诸如已经在传统照明设备诸如、例如白炽灯和荧光灯中使用的汞(Hg),并且还具有其他优点,例如长寿命和低功耗,所以这种发光二极管具有优良的环境友好性。因此,现有光源正被发光二极管取代。

在具有倒装芯片焊接结构的现有发光器件封装的情形中,因为n型电极厚,所以将在竖直方向中相互重叠的p型结合焊盘和n型电极相互分开地电隔离的绝缘层可能不被正确地形成,这可能使得电特性劣化。

发明内容

技术目的

实施例提供具有优良电特性的发光器件和发光器件封装。

技术方案

根据一个实施例的发光器件可以包括:基板;发光结构,该发光结构置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极分别地连接到第一导电半导体和第二导电半导体层;第一结合焊盘和第二结合焊盘分别地连接到第一电极和第二电极结合焊盘;以及绝缘层,该绝缘层置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间,其中第一电极可以具有第一厚度,该第一厚度是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。

例如,第一电极可以包括置放在第一结合焊盘和第二结合焊盘下面的分支电极、以及置放在第一结合焊盘下面的接触电极,并且第一厚度可以是分支电极的厚度。分支电极可以包括置放在第二结合焊盘下面的第一段、以及置放在第一结合焊盘下面的第二段,并且第一厚度可以是第一段的厚度。

在第一方向中,基板可以具有第一长度并且分支电极具有第二长度,并且第一长度和第二长度具有以下关系:L1×0.7>L2(这里,L1指示第一长度并且L2指示第二长度)。

第一结合焊盘和第二结合焊盘可以在与发光结构的厚度方向正交的第一方向中相互隔开。

例如,分支电极可以进一步包括置放在第一段和第二段之间的第三段。

例如,分支电极的第一段的一部分可以被掩埋在第一导电半导体层中。第一电极的第一厚度可以是未被掩埋在第一导电半导体层中而是被暴露的第一电极的一部分的厚度。

例如,第一厚度可以是1μm或者更小并且第二厚度可以是3.3μm或者更小。

例如,第一电极可以包括面对绝缘层的第一上表面,并且第一电极的第一上表面可以在其中具有至少一个第一凹部。绝缘层可以包括置放在第一电极上的第二上表面,并且绝缘层的第二上表面可以在其中具有至少一个第二凹部。与当第一电极在其中不具有第一凹部时相比,当第一电极在其中具有第一凹部时,第一电极的第一厚度可以更大。

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