[发明专利]形成传感器集成封装的方法和由此形成的结构

权利要求书

1.一种微电子传感器集成封装结构，包括：

设置在核材料的导电层上的电介质材料；

设置在电介质材料上的第一导电迹线和第二导电迹线；

设置在第一导电迹线的部分上和第二导电迹线的部分上的抗蚀剂材料；

设置在第一和第二导电迹线之间的腔体，其中抗蚀剂材料不跨腔体延伸；以及

直接设置在抗蚀剂材料上的磁体，所述抗蚀剂材料设置在第一导电迹线的所述部分上和第二导电迹线的所述部分上, 所述磁体围封所述腔体以提供对所述腔体的密闭密封。

2.根据权利要求1所述的结构，其中第一和第二导电迹线耦合到陀螺仪或加速度计中的至少一个的锚固件结构。

3.根据权利要求1所述的结构，还包括其中第一和第二导电迹线设置在第一金属层中，其中第一金属层包括至少一个传感器组件。

4.根据权利要求3所述的结构，其中传感器组件选自包括检测质量、线圈和横梁的组。

5.根据权利要求1所述的结构，还包括其中腔体包括传感器腔体，并且其中所述磁体包括能够以100微瓦以下的功率输入操作与传感器集成封装耦合的传感器器件的场强。

6.根据权利要求1所述的结构，还包括其中磁体包括1mm以下的厚度。

7.一种微电子器件结构，包括：

板；

耦合到板的封装结构，其中封装结构包括：

基板核；

设置在基板核上的第一和第二导电迹线结构；

设置在第一导电迹线结构与第二导电迹线结构之间的腔体；

设置在抗蚀剂材料上的磁体，所述抗蚀剂材料设置在第一导电迹线结构的部分上和第二导电迹线结构的部分上，其中磁体用于围封所述腔体以提供对所述腔体的密闭密封，并且其中抗蚀剂材料不跨腔体设置。

8.根据权利要求7所述的结构，还包括其中器件结构包括传感器集成封装的部分。

9.根据权利要求8所述的结构，还包括其中传感器集成封装包括陀螺仪或加速度计中的至少一个。

10.根据权利要求7所述的结构，其中第一和第二导电迹线结构中的至少一个耦合到传感器器件的锚固件结构。

11.根据权利要求7所述的结构，其中磁体包括小于1mm的高度。

12.根据权利要求7所述的结构，还包括系统，所述系统包括：

通信耦合到微电子结构的通信芯片；以及

通信耦合到通信芯片的DRAM。

13.根据权利要求7所述的结构，还包括其中第一和第二导电迹线结构与传感器器件的横梁结构耦合。

14.根据权利要求13所述的结构，还包括其中磁体能够提供磁场以生成横梁的电磁感应的偏转。

15.一种形成微电子封装结构的方法，包括：

提供基板核，其中第一和第二导电迹线结构设置在基板核上；

在第一和第二导电迹线结构的部分上形成抗蚀剂材料；

在第一导电迹线结构与第二导电迹线结构之间形成腔体；以及

将磁体放置在抗蚀剂材料上，其中磁体用于围封所述腔体以提供对所述腔体的密闭密封并且抗蚀剂材料不跨腔体设置。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括其中微电子封装结构包括传感器集成封装的部分。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括其中在将抗蚀剂放置在第一和第二导电迹线结构中的每一个的所述部分上之后，形成腔体。