[发明专利]用于抑制对闪存存储器系统中的未被选择的位线进行编程的方法和设备有效
| 申请号： | 201680019866.4 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107430891B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | H.V.陈;A.李;T.于;H.Q.阮 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 闪存 存储器 系统 中的 选择 进行 编程 方法 设备 | ||
1.一种闪存存储器装置，包括：
被组织成行和列的闪存存储器单元阵列，闪存存储器单元的每列耦接至位线；
编程电路，所述编程电路耦接至所述阵列以向所选择的位线施加编程电流；
多路复用器，所述多路复用器包括编程抑制电路和读取位线解码器，所述编程抑制电路被配置成在编程操作期间向所述阵列中未被选择的位线施加抑制偏置源并且所述读取位线解码器被配置成在读取操作期间读取选择的位线；
其中在编程操作期间，耦接至所选择的位线的所选择的单元被编程，但耦接至所述未被选择的位线的所有单元不被编程。
2.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述抑制偏置源为电流源。
3.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述抑制偏置源为电压源。
4.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中每个存储器单元为源极侧注入闪存存储器单元。
5.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中每个存储器单元为具有尖端擦除的源极侧注入闪存存储器单元。
6.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述存储器单元被成对地布置，其中两个浮栅共享擦除栅。
7.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述存储器单元被成对地布置，其中两个浮栅共享字线。
8.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述编程电路包括电流镜，所述电流镜包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管耦接至编程电流源，并且所述第二晶体管耦接至所选择的位线。
9.根据权利要求8所述的闪存存储器装置，其中所述抑制偏置源为电流源。
10.根据权利要求8所述的闪存存储器装置，其中所述抑制偏置源为电压源。
11.根据权利要求8所述的闪存存储器装置，其中每个存储器单元为源极侧注入闪存存储器单元。
12.根据权利要求8所述的闪存存储器装置，其中每个存储器单元为具有尖端擦除的源极侧注入闪存存储器单元。
13.根据权利要求8所述的闪存存储器装置，其中所述存储器单元被成对地布置，其中两个浮栅共享擦除栅。
14.根据权利要求1所述的闪存存储器装置，其中所述存储器单元被成对地布置，其中两个浮栅共享字线。
15.一种闪存存储器装置，包括：
被组织成行和列的闪存存储器单元阵列，闪存存储器单元的每列耦接至位线；
编程电路，所述编程电路耦接至所述阵列以向所选择的位线施加编程电流，所述编程电路包括：
电流镜，所述电流镜包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管耦接至编程电流源，并且所述第二晶体管耦接至所选择的位线；和
电路，所述电路用于对泄漏电流进行采样并且将所述泄漏电流注入到所选择的位线中，所述用于对泄漏电流进行采样的所述电路包括电流镜，所述电流镜包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管耦接至虚拟位线以对泄漏电流进行采样，并且所述第二晶体管耦接至所选择的位线；和
编程抑制电路，所述编程抑制电路耦接至所述阵列以向未被选择的位线施加抑制偏置源；
其中在编程操作期间，耦接至所选择的位线的所选择的单元被编程，但耦接至所述未被选择的位线的所有单元不被编程。
16.根据权利要求15所述的闪存存储器装置，其中所述抑制偏置源为电流源。
17.根据权利要求15所述的闪存存储器装置，其中所述抑制偏置源为电压源。
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