[发明专利]辐射敏感组合物、非晶膜和抗蚀图案形成方法

权利要求书

1.一种辐射敏感组合物，其含有抗蚀基材(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)以及溶剂(C)，该组合物中的所述溶剂(C)的含量为20～99质量％，所述溶剂(C)以外的成分的含量为1～80质量％，所述抗蚀基材(A)为下述式(1)所示的化合物，

式(1)中、R¹为碳数1～30的2n价基团，R²～R⁵各自独立地表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子、巯基、或羟基，其中，至少一个R⁴和/或至少一个R⁵为选自羟基和巯基中的1种以上，m²和m³各自独立地为0～8的整数，m⁴和m⁵各自独立地为0～9的整数，其中，m⁴和m⁵不同时为0，n为1～4的整数，p²～p⁵各自独立地为0～2的整数。

2.根据权利要求1所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)中，选自R¹～R⁵的至少一个为包含碘原子的基团。

3.根据权利要求1或2所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)中，至少一个R²和/或至少一个R³为选自羟基和巯基中的1种以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1a)所示的化合物，

式(1a)中，R¹～R⁵以及n与所述式(1)中说明的含义相同，m^2’和m^3’各自独立地为0～4的整数，m^4’和m^5’各自独立地为0～5的整数，其中，m^4’和m^5’不同时为0。

5.根据权利要求4所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1a)所示的化合物为下述式(1b)所示的化合物，

式(1b)中，R¹与所述式(1)中说明的含义相同，R⁶和R⁷各自独立地为碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子或巯基，其中，选自R¹、R⁶和R⁷的至少一个为包含碘原子的基团，m⁶和m⁷各自独立地为0～7的整数。

6.根据权利要求5所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1b)所示的化合物为下述式(1c)所示的化合物，

式(1c)中，R¹²各自独立地为氢原子、氰基、硝基、杂环基、卤素原子、碳数1～20的直链状脂肪族烃基、碳数3～20的支链状脂肪族烃基、碳数3～20的环状脂肪族烃基、碳数6～20的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、巯基或羟基，其中，至少一个R¹²为包含碘原子的基团。

7.根据权利要求6所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1c)所示的化合物为下述式(1d)所示的化合物，

式(1d)中，R¹³各自独立地为氰基、硝基、杂环基、卤素原子、碳数1～20的直链状脂肪族烃基、碳数3～20的支链状脂肪族烃基、碳数3～20的环状脂肪族烃基、碳数6～20的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、巯基或羟基，m⁸为0～4的整数。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的辐射敏感组合物，其中，以所述溶剂(C)以外的成分为基准且以质量％计，所述溶剂(C)以外的成分含有1～99/99～1/0～98的抗蚀基材(A)/重氮萘醌光活性化合物(B)/任意成分(D)。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的辐射敏感组合物，其能够通过旋涂而形成非晶膜。