[发明专利]辐射敏感组合物、非晶膜和抗蚀图案形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及辐射敏感组合物、使用该组合物形成的非晶膜、以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。

背景技术

在制造半导体、LCD、太阳能电池时的光刻法中，使用萘醌二叠氮化合物等具有醌二叠氮基的感光剂和碱可溶性树脂。包含这种组成的正型光致抗蚀剂通过利用碱溶液进行显影而显示出高分辨率，被用于IC、LSI等半导体的制造、LCD等电路基材的制造。

另一方面，作为至今为止最前沿的半导体制造用途，作为用于提供分辨力更高的抗蚀图案的抗蚀基材，提出了各种低分子量的抗蚀材料。低分子量抗蚀材料由于分子量低，因此分子尺寸小，可期待赋予分辨性能高、粗糙度小的抗蚀图案。

例如，提出了将低分子量多核多酚化合物用作主要成分的碱显影型化学增幅正型辐射敏感组合物(例如参照专利文献1(日本特开2005-266741号公报))、将低分子量环状多酚化合物用作主要成分的碱显影型化学增幅正型辐射敏感组合物(例如参照专利文献2(日本特开2012-83731号公报))。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-266741号公报

专利文献2：日本特开2012-83731号公报

发明内容

发明要解决的问题

如上所述，以往提出了多种材料，但它们的图案粗糙度大，期望辐射敏感组合物的进一步改善。

本发明的目的在于，提供可得到粗糙度小的良好抗蚀图案的辐射敏感组合物、非晶膜、以及使用前述组合物的抗蚀图案形成方法。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决前述课题而进行了深入研究，结果发现：包含具有特定化学结构的抗蚀基材、光活性化合物和溶剂的辐射敏感组合物可得到粗糙度小的良好抗蚀图案形状，从而完成了本发明。

即，本发明如下所示。

[1]一种辐射敏感组合物，其含有抗蚀基材(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)以及溶剂(C)，该组合物中的前述溶剂(C)的含量为20～99质量％，前述溶剂(C)之外的成分的含量为1～80质量％，前述抗蚀基材(A)为下述式(1)所示的化合物。

(式(1)中，R¹为碳数1～30的2n价基团，R²～R⁵各自独立地为碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子、巯基、或羟基，其中，至少一个R⁴和/或至少一个R⁵为选自羟基和巯基中的1种以上，m²和m³各自独立地为0～8的整数，m⁴和m⁵各自独立地为0～9的整数，其中，m⁴和m⁵不同时为0，n为1～4的整数，p²～p⁵各自独立地为0～2的整数。)

[2]根据前述[1]所述的辐射敏感组合物，其中，前述式(1)中，选自R¹～R⁵的至少一个为包含碘原子的基团。

[3]根据第1项或第2项所述的辐射敏感组合物，其中，前述式(1)中，至少一个R²和/或至少一个R³为选自羟基和巯基中的1种以上。

[4]根据前述[1]～[3]中任一项所述的辐射敏感组合物，其中，前述式(1)所示的化合物为下述式(1a)所示的化合物。

(式(1a)中，R¹～R⁵以及n与前述式(1)中说明的含义相同，m^2’和m^3’各自独立地为0～4的整数，m^4’和m^5’各自独立地为0～5的整数，其中，m^4’和m^5’不同时为0。)

[5]根据前述[4]所述的辐射敏感组合物，其中，前述式(1a)所示的化合物为下述式(1b)所示的化合物。