[发明专利]光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种发光二极管(500)，所述发光二极管包括：

-光电子半导体芯片(100)，其中所述光电子半导体芯片具有：

-基本体，所述基本体具有载体(3)和设置在所述载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列在正常运行中发射电磁辐射,

-两个设置在所述半导体层序列(1)上并且背离所述载体(3)的接触面(20，21)，经由所述接触面能够电接触所述半导体层序列(1)，和

-两个接触元件(40，41)，所述接触元件施加在所述接触面(20，21)上并且与所述接触面导电连接，其中

-所述载体(3)具有横向于所述上侧(30)伸展的侧面(32)和与所述上侧(30)相对置的下侧(31)，

-所述接触元件(40，41)构成为印制导线，所述印制导线从所述接触面(20，21)开始经过所述基本体的棱边引导直至所述载体(3)的所述侧面(32)上，

-所述载体(3)是用于所述半导体层序列(1)的生长衬底，

-所述接触元件(40，41)直接地贴靠所述载体(3)的相应的所述侧面(32)，

-所述发光二极管(500)包括两个导电的接触块(401，411)，所述接触块施加到所述载体(3)的两个侧面(32)上，

-所述接触块(401，411)与所述接触元件(40，41)导电地连接，

-环形地围绕所述基本体设置包覆件(501)，所述包覆件完全或部分地覆盖所述基本体的未被所述接触块(401，411)覆盖的部位，

-所述接触块(401，411)在所述发光二极管(500)的未安装的状态下在所述发光二极管(500)的外面处露出，并且在运行中用于外部电接触所述发光二极管(500)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管(500)，其中

-所述接触元件(40，41)构成为一件式的印制导线，

-所述接触元件(40，41)从所述接触面(20，21)开始直至所述侧面(32)形状配合地贴靠所述基本体。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管(500)，其中

-所述接触元件(40，41)引导到所述载体(3)的两个相对置的侧面(32)上，

-所述载体(3)的全部其余的侧面(32)没有印制导线或辐射不可穿透的覆层。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管(500)，其中

-所述接触元件(40，41)引导到所述载体(3)的相同的侧面(32)上，

-全部侧面(32)和所述下侧(31)完全地借助镜层(8)镜面化，

-所述镜层(8)对于由所述半导体层序列(1)在运行中发射的辐射而言具有至少90％的反射率。

5.根据权利要求1所述的发光二极管(500)，其中

-所述基本体或载体的至少一侧用镜层(8)覆盖，

-所述镜层(8)是结构化的并且经由结构化部设定从所述基本体或载体的相应侧中的辐射性能，

-在结构化的所述镜层上施加有转换元件(5)。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管(500)，其中

-所述半导体芯片(100)是蓝宝石体积发射器，其中所述载体(3)是蓝宝石载体，并且所述半导体层序列(1)在所述蓝宝石载体上生长，

-所述半导体层序列(1)具有第一传导类型的朝向所述载体(3)的第一层(10)、第二传导类型的背离所述载体(3)的第二层(12)和设置在所述第一层(10)和所述第二层(12)之间的有源层(11)，

-第二接触面(21)设置在所述第二层(12)上，

-能够经由所述第二接触面(21)电接触所述第二层(12)，

-第一接触面(20)在所述半导体层序列(1)的凹部中设置在所述第一层(10)上，其中在所述凹部之内移除所述第二层(12)和所述有源层(11)，并且露出所述第一层(10)，

-能够经由所述第一接触面(20)电接触所述第一层(10)，

-所述接触元件(40，41)直接地贴靠所述载体(3)的相应的所述侧面(32)，并且在载体(3)和接触元件(40，41)之间未设有另外的层。