[发明专利]光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法

说明书

一种光电子半导体芯片(100)，包括基本体，所述基本体具有载体(3)和设置在载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列在正常运行中发射或吸收电磁辐射。此外，半导体芯片(100)包括两个设置在半导体层序列(1)上并且背离载体(3)的接触面(20，21)，经由所述接触面能够电接触半导体层序列(1)。此外，半导体芯片(100)具有两个接触元件(40，41)，所述接触元件施加在接触面(20，21)上并且与所述接触面导电连接。基本体的载体(3)包括横向于上侧(30)伸展的侧面(32)和与上侧(30)相对置的下侧(31)。接触元件(40，41)构成为印制导线，所述印制导线从接触面(20，21)开始经过基本体的棱边引导直至载体(3)的侧面(32)上。

技术领域

提出一种光电子半导体芯片。此外，提出一种发光二极管、一种光电子半导体器件以及一种用于制造光电子半导体芯片和发光二极管的方法。

发明内容

待实现的目的在于：例如通过将接触结构的遮暗面最小化，提供具有有效的辐射耦合输出的光电子半导体芯片以及发光二极管。另一要实现的目的在于：提出一种光电子器件，其中加工多个所提出的半导体芯片和/或发光二极管。另一要实现的目的在于：提出一种用于制造这种光电子半导体芯片以及这种发光二极管的方法。

通过本发明的方法和实体实现所述目的。有利的设计方案和改进形式是下面的描述的主题。

根据至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括基本体，所述基本体具有载体和设置在载体的上侧上的半导体层序列。优选地，半导体层序列在载体的上侧之上连续地、连贯地且无中断地延伸，并且几乎完全地覆盖载体的上侧，例如以至少90％或95％或99％。半导体层序列构建用于：在正常运行中发射或吸收尤其在400nm和800nm之间的可见波长范围中的电磁辐射。载体优选一件式地构成。

半导体层序列例如基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mN或者是磷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mP或者也是砷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。优选地，半导体层序列基于AlInGaN。

半导体层序列优选包括有源层，所述有源层具有至少一个pn结和/或呈单量子阱、简称SQW的形式或呈多量子阱结构、简称MQW的量子阱结构。

载体优选是自承的并且构建用于机械地稳定基本体。因此，在基本体中除了载体之外于是不需要另外的稳定化措施。

根据至少一个实施方式，光电子半导体芯片具有两个设置在半导体层序列上的并且背离载体的接触面，经由所述接触面能够电接触半导体层序列。因此，接触面设置在半导体层序列的背离载体的一侧上并且例如基本上平行于载体的上侧伸展。在此，可电接触尤其表示：半导体层序列能够经由两个接触面电连接。接触面例如设置在载体的上侧的两个相对置的边缘区域上，并且优选由半导体层序列的半导体材料形成。如果半导体层序列应具有多于两个用于电接触的接触面，那么例如全部所述接触面都设置在半导体层序列的背离载体的侧上。

根据至少一个实施方式，两个接触元件施加到接触面上并且与所述接触面导电连接。接触元件优选用于：建立与半导体层序列的电接触。对此，接触元件例如能够具有金属或金属合金或半导体材料或透明导电材料或由其构成。