[发明专利]阻气性塑料成型体及其制造方法

权利要求书

1.一种阻气性塑料成型体，其是具备塑料成型体和设置于该塑料成型体的表面的阻气薄膜的阻气性塑料成型体，其特征在于，

所述阻气薄膜含有硅(Si)、碳(C)和氧(O)作为构成元素，并且在按条件(1)进行X射线电子分光分析时，在Si-C键能的出峰位置观察到主峰，该主峰是在条件(1)下进行峰分离而观察到的峰中的强度最高的峰，

条件(1)：将测定范围设定为95eV～105eV。

2.如权利要求1所述的阻气性塑料成型体，其特征在于，

所述阻气薄膜在深度方向上具有倾斜组成，

所述深度方向是从所述阻气薄膜的表面朝向所述塑料成型体的方向，所述倾斜组成是Si、O或C中的至少一种的含量在所述深度方向上连续性地或阶梯性地发生变化的组成，

在将所述阻气薄膜在所述深度方向上二等分并设与所述塑料成型体相反的一侧为上层、设所述塑料成型体侧为下层时，

所述上层中的由(数学式1)表示的C含有率高于所述上层中的由(数学式2)表示的Si含有率，

(数学式1)C含有率[％]＝{(C含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100数学式1中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量；

(数学式2)Si含有率[％]＝{(Si含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100数学式2中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量。

3.如权利要求2所述的阻气性塑料成型体，其特征在于，所述上层中的由(数学式3)表示的O含有率低于所述上层中的Si含有率，

(数学式3)O含有率[％]＝{(O含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100数学式3中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量。

4.如权利要求1～3中任一项所述的阻气性塑料成型体，其特征在于，

所述阻气薄膜在深度方向上具有倾斜组成，

所述深度方向是从所述阻气薄膜的表面朝向所述塑料成型体的方向，所述倾斜组成是Si、O或C中的至少一种的含量在所述深度方向上连续性地或阶梯性地发生变化的组成，

在将所述阻气薄膜在所述深度方向上二等分并设与所述塑料成型体相反的一侧为上层、设所述塑料成型体侧为下层时，

所述下层中的由(数学式1)表示的C含有率高于所述下层中的由(数学式3)表示的O含有率，

(数学式1)C含有率[％]＝{(C含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100数学式1中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量；

(数学式3)O含有率[％]＝{(O含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100数学式3中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量。

5.一种阻气性塑料成型体的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

排气工序，对真空腔室的内部进行排气，将所述真空腔室内调整成初期压力P₀以下；

准备工序，在所述真空腔室内的压力被调整成P₀以下且配置在真空腔室内的具有碳化钽相的发热体未被加热时，将含硅的烃气体导入到所述真空腔室内而将该真空腔室内的压力调整成所述P₀；以及

成膜工序，一边将所述含硅的烃气体继续导入到所述真空腔室中一边对所述发热体进行加热，在容纳在所述真空腔室内的塑料成型体的表面形成阻气薄膜；

所述P₀为1.5Pa。

6.如权利要求5所述的阻气性塑料成型体的制造方法，其特征在于，

在所述准备工序中，将所述真空腔室内的压力调整成所述P₀后，使所述真空腔室内的压力达到高于所述P₀的压力P_A，

在所述成膜工序中，使所述真空腔室内的压力达到高于所述P_A的压力P_B。

7.如权利要求6所述的阻气性塑料成型体的制造方法，其特征在于，(P_B-P_A)/P₀为0.11以上。